[发明专利]透明导电性膜

说明书

本发明提供一种弯曲性及透明性这两者均优异的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜依次具备第1透明导电层、基材、和第2透明导电层，该第1透明导电层包含金属纳米线，该第2透明导电层由金属氧化物构成。在一个实施方式中，构成上述第2透明导电层的金属氧化物为铟‑锡复合氧化物。

技术领域

本发明涉及透明导电性膜。

背景技术

以往，作为触控传感器的电极等中使用的透明导电性膜，多使用在树脂膜上形成有铟-锡复合氧化物层(ITO层)等金属氧化物层的透明导电性膜。然而，形成有金属氧化物层的透明导电性膜存在如下问题：弯曲性不充分，容易因弯曲等物理应力产生龟裂。

另外，作为透明导电性膜，提出了包含使用了银或铜等的金属纳米线的透明导电性膜。此种透明导电性膜具有弯曲性优异的优点。然而，包含金属纳米线的透明导电性膜存在难以获得充分的透明性的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2009-505358号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种弯曲性及透明性这两者均优异的透明导电性膜。

用于解决问题的手段

本发明的透明导电性膜依次具备第1透明导电层、基材、和第2透明导电层，该第1透明导电层包含金属纳米线，该第2透明导电层由金属氧化物构成。

在一个实施方式中，构成上述第2透明导电层的金属氧化物为铟-锡复合氧化物。

在一个实施方式中，上述基材的拉伸断裂强度为100MPa以上。

在一个实施方式中，上述基材由环烯烃系树脂构成。

发明效果

根据本发明，能够提供弯曲性及透明性这两者均优异的透明导电性膜。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的透明导电性膜的概略剖视图。

具体实施方式

A.透明导电性膜的整体构成

图1是本发明的一个实施方式的透明导电性膜的概略剖视图。透明导电性膜100依次具备第1透明导电层10、基材20、及第2透明导电层30。第1透明导电层10包含金属纳米线(未图示)。第2透明导电层30由金属氧化物构成。虽然未图示，但透明导电性膜也可进一步包含任意适当的其他层。

在本发明中，通过将包含金属纳米线的第1透明导电层与由金属氧化物构成的第2透明导电层隔着基材层叠，能够获得弯曲性优异的透明导电性膜。更详细而言，本发明的透明导电性膜将一个透明导电层设为包含金属纳米线的透明导电层(第1透明导电层)、即不易因弯曲而受损的透明导电层，通过为此种构成，具有如下特征：以第1透明导电层为外侧而弯曲时，不易破损(例如不易产生龟裂)，弯曲性优异。

进而，本发明的透明导电性膜的另一透明导电层(第2透明导电层)由金属氧化物构成，通过为此种构成，具有如下特征：虽然具备多层透明导电层，但透明性也优异(例如，雾度值小)。在本发明的透明导电性膜中，若以第1透明导电层为外侧而使该透明导电性膜弯曲，则不会对第2透明导电层施加拉伸方向的应力，因此，即便为由金属氧化物构成的第2透明导电层，也可防止其破损。

本发明的透明导电性膜的第1透明导电层侧的表面电阻值优选为0.01Ω/□～1000Ω/□，更优选为0.1Ω/□～500Ω/□，特别优选为0.1Ω/□～300Ω/□，最优选为0.1Ω/□～100Ω/□。