[发明专利]利用侧壁空穴注入增强的基于量子阱的LED结构

权利要求书

1.一种发光二极管LED结构，包括：

半导体模板，所述半导体模板具有模板顶表面；

形成于所述半导体模板上方的有源量子阱QW结构；以及

p型层，所述p型层具有面向所述有源QW和所述模板顶表面的底表面，所述底表面包含凹陷侧壁，

所述p型层的凹陷侧壁被配置以用于促进空穴穿过所述有源QW结构的QW侧壁注入到所述有源QW结构中。

2.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述有源QW结构包含平行于所述半导体模板形成并且在相对于所述模板顶表面的表面法线方向上堆叠的多对QW层和量子势垒层，并且

其中，所述p型层的凹陷侧壁被配置以用于促进空穴穿过所述QW侧壁注入到所述有源QW结构内的所述多个QW层中的每一个中。

3.根据权利要求2所述的LED结构，其中，所述有源QW结构中的所述量子势垒层中的至少一个在所述表面法线方向上具有大于五十纳米的厚度。

4.根据权利要求1所述的LED结构，还包括形成在所述有源QW结构与所述半导体模板之间的空穴阻挡层，用于防止整体迁移到所述有源QW结构之外。

5.根据权利要求4所述的LED结构，还包括设置在所述半导体模板与所述空穴阻挡层之间的准备层。

6.根据权利要求1所述的LED结构，还包括设置在所述半导体模板与所述p型层之间的电介质层，其中，所述电介质层被配置成防止电流从所述p型层流入到所述半导体模板中。

7.根据权利要求1所述的LED结构，还包括用于向所述LED结构提供电接触的p接触层。

8.根据权利要求1所述的LED结构，其中，在垂直于所述模板顶表面的截面平面中，所述底表面和所述模板顶表面形成梯形、三角形和矩形之一的形状。

9.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述凹陷侧壁不垂直于也不平行于所述模板顶表面。

10.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述QW侧壁不垂直于也不平行于所述模板顶表面。

11.一种用于在半导体模板上制造发光二极管LED结构的方法，所述半导体模板具有模板顶表面，所述方法包括：

在所述模板顶表面上方形成有源量子阱QW结构；

在所述有源QW上方形成p型层，所述p型层具有面向所述有源QW和所述模板顶表面的底表面，所述底表面包含凹陷侧壁；以及

将空穴穿过所述凹陷侧壁注入到所述有源QW结构中。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述有源QW结构与所述半导体模板之间形成空穴阻挡层，以用于防止所述空穴迁移到所述有源QW结构之外。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述半导体模板与所述p型层之间形成电介质层，以防止不希望的电流从所述p型层流入到所述半导体模板中。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述凹陷侧壁不垂直于也不平行于所述模板顶表面。

15.一种用于在半导体模板上形成基于量子阱的发光二极管结构的方法，所述半导体模板限定平面和相对于所述平面的表面法线，所述方法包括：

将空穴注入到所述发光二极管结构的垂直于所述表面法线的表面中。