[发明专利]Pt-氧化物系溅射靶和垂直磁记录介质

权利要求书

1.一种Pt-氧化物系溅射靶，其是由60体积％以上且小于100体积％的Pt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成的Pt-氧化物系溅射靶，其特征在于，Pt基合金相含有50原子％以上且100原子％以下的Pt。

2.如权利要求1所述的Pt-氧化物系溅射靶，其中，所述Pt基合金相还含有合计为0原子％以上且50原子％以下的选自Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W和Ge中的一种以上。

3.如权利要求1或2所述的Pt-氧化物系溅射靶，其中，所述氧化物为选自B₂O₃、WO₃、Nb₂O₅、SiO₂、Ta₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、Y₂O₃、Cr₂O₃、ZrO₂、HfO₂中的一种以上。

4.一种垂直磁记录介质，其是包含在含有富Co晶粒的CoPt基合金-氧化物的颗粒结构的磁性层之下层叠的含有富Pt晶粒的Pt基合金-氧化物的薄层的垂直磁记录介质，其特征在于，

所述颗粒结构的磁性层由60体积％以上且小于100体积％的CoPt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成，

所述磁性层的CoPt基合金相含有60原子％以上且85原子％以下的Co和15原子％以上且40原子％以下的Pt，

所述Pt基合金-氧化物的薄层是由60体积％以上且小于100体积％的Pt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成、厚度大于0nm且在2nm以下的Pt基合金-氧化物的薄层，

所述Pt基合金-氧化物的薄层的Pt基合金相含有50原子％以上且100原子％以下的Pt。

5.一种垂直磁记录介质，其是包含在含有富Co晶粒的CoPt基合金-氧化物的颗粒结构的磁性层之上层叠的含有富Pt晶粒的Pt基合金-氧化物的薄层的垂直磁记录介质，其特征在于，

所述颗粒结构的磁性层由60体积％以上且小于100体积％的CoPt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成，

所述磁性层的CoPt基合金相含有60原子％以上且85原子％以下的Co和15原子％以上且40原子％以下的Pt，

所述Pt基合金-氧化物的薄层是由60体积％以上且小于100体积％的Pt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成、厚度大于0nm且在4nm以下的Pt基合金-氧化物的薄层，

所述Pt基合金-氧化物的薄层的Pt基合金相含有50原子％以上且100原子％以下的Pt。

6.一种垂直磁记录介质，其是包含两个以上在含有富Co晶粒的CoPt基合金-氧化物的颗粒结构的磁性层之上层叠的含有富Pt晶粒的Pt基合金-氧化物的薄层的组合的垂直磁记录介质，其特征在于，

所述颗粒结构的磁性层由60体积％以上且小于100体积％的CoPt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成，

所述磁性层的CoPt基合金相含有60原子％以上且85原子％以下的Co和15原子％以上且40原子％以下的Pt，

所述Pt基合金-氧化物的薄层由60体积％以上且小于100体积％的Pt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成，

所述Pt基合金-氧化物的薄层的Pt基合金相含有50原子％以上且100原子％以下的Pt，

垂直磁记录介质中所含的Pt基合金-氧化物的薄层的总厚度大于0nm且在4nm以下。

7.如权利要求4～6中任一项所述的垂直磁记录介质，其中，所述Pt基合金-氧化物的薄层的Pt基合金相还含有合计为0原子％以上且50原子％以下的选自Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W和Ge中的一种以上。

8.如权利要求4～7中任一项所述的垂直磁记录介质，其中，所述Pt基合金-氧化物的薄层含有合计为0体积％以上且40体积％以下的选自B₂O₃、WO₃、Nb₂O₅、SiO₂、Ta₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、Y₂O₃、Cr₂O₃、ZrO₂、HfO₂中的一种以上氧化物。