[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装(100)，其特征在于，包括：

衬底(110)；

半导体芯片(111)，具有顶面(103a)和与所述顶面相对的底面(103b)，所述半导体芯片(111)的所述底面(103b)置于所述衬底(110)上，所述半导体芯片(111)包括设置在所述半导体芯片(111)的所述顶面(103a)上用于电连接所述半导体芯片(111)的至少一个第一端子焊盘(102a，102b)；

至少一个全金属体(113a，113b)，置于所述半导体芯片(111)的所述至少一个第一端子焊盘(102a，102b)上，

所述至少一个全金属体(113a，113b)具有电连接到所述至少一个第一端子焊盘(102a，102b)的球形部(111a，111b)；以及

模体(115)，包封所述半导体芯片(111)和所述至少一个全金属体(113a，113b)的所述球形部(111a，111b)。

2.根据权利要求1所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述至少一个全金属体(113a，113b)具有形成在所述模体(115)的表面(101)处的平面部(104a，104b)。

3.根据权利要求2所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述至少一个全金属体(113a，113b)至少部分形成为从一面切除以形成所述平面部(104a，104b)的球体或椭球体。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述至少一个全金属体(113a，113b)由铜制成。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述至少一个全金属体(113a，113b)包括铜芯，所述铜芯被金属镀层覆盖，所述金属镀层由锡或锡合金或银或贵金属涂层中的一种或多种制成。

6.根据权利要求5所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述至少一个全金属体(113a，113b)包括由镍制成的另外的金属镀层，所述另外的金属镀层置于所述铜芯与所述金属镀层之间。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述衬底(110)由金属制成。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述衬底(110)包括多层衬底，所述多层衬底包括将第一上部金属层(110b)与第二下部金属层(110c)电分离的绝缘内层(110a)。

9.根据权利要求8所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述第一上部金属层(110b)和所述第二下部金属层(110c)由铜或铝制成。

10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装(100)，其特征在于，包括：

至少一个第二全金属体(112a)，置于所述衬底(110)上，

所述至少一个第二全金属体(112a)具有电连接到至少一个第二端子焊盘(102d)的球形部(111c)，所述至少一个第二端子焊盘(102d)设置在所述半导体芯片(111)的所述底面(103b)上，

所述模体(115)包封所述至少一个第二全金属体(112a)的所述球形部(111c)。

11.根据权利要求10所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述至少一个第二全金属体(112a)具有形成在所述模体(115)的表面(101)处的平面部(104c)。

12.根据权利要求11所述的半导体封装(100)，其特征在于，所述至少一个第二全金属体(112a)的所述平面部(104c)和所述至少一个全金属体(113a，113b)的所述平面部(104a，104b)置于公共平面处。