[发明专利]导体材料在审
| 申请号： | 202180031352.1 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115461415A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 冈本敏宏;黑泽忠法;山下侑;竹谷纯一;池田大次;横尾健;赤井泰之 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐 |
| 主分类号： | C08L101/12 | 分类号： | C08L101/12;H01B1/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导体 材料 | ||
1.一种导体材料，所述导体材料具有将掺杂剂掺杂至在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成，所述掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。
2.根据权利要求1所述的导体材料，其中，
阴离子为下述式(1)所示的阴离子，
[化学式1]
式中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团；R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。
3.根据权利要求1所述的导体材料，其中，
阴离子为下述式(1a)所示的阴离子，
[化学式2]
式中，R3、R4相同或不同，表示卤素原子或卤代烷基；R3、R4任选地彼此键合而形成卤代亚烷基。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的导体材料，其中，
共轭高分子化合物为具有下述式(2)所示的重复单元的高分子化合物，
[化学式3]
式中，L1～L4相同或不同，表示第ⅢA族～第VIA族元素，D1～D4相同或不同，表示含杂原子的电子供给性基团或氢原子；需要说明的是，D1～D4中的至少一个为含杂原子的电子供给性基团。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的导体材料，其中，
含杂原子的电子供给性基团为下述式(d)所示的基团，
[化学式4]
式中，D表示选自第IVA族～第VIA族元素中的至少一种杂原子，R5表示碳数5～30的脂肪族烃基；式中的带波浪线的键合键与共轭高分子化合物的主链键合。
6.一种导体材料的制造方法，所述制造方法向在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物中掺杂掺杂剂，而得到如权利要求1～5中任一项所述的导体材料，所述掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。
7.根据权利要求6所述的导体材料的制造方法，其中，
阴离子为下述式(1)所示的阴离子，
[化学式5]
式中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团；R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。
8.根据权利要求6所述的导体材料的制造方法，其中，
阴离子为下述式(1a)所示的阴离子，
[化学式6]
式中，R3、R4相同或不同，表示卤素原子或卤代烷基；R3、R4任选地彼此键合而形成卤代亚烷基。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的导体材料的制造方法，其中，
共轭高分子化合物为具有下述式(2)所示的重复单元的高分子化合物，
[化学式7]
式中，L1～L4相同或不同，表示第ⅢA族～第VIA族元素，D1～D4相同或不同，表示含杂原子的电子供给性基团或氢原子；需要说明的是，D1～D4中的至少一个为含杂原子的电子供给性基团。
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