[发明专利]用于控制狭缝阀的狭缝阀设备和控制狭缝阀设备的方法有效
申请号: | 202180026841.8 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN115398614B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 保罗·Z·沃思;奥弗·阿米尔;迈克尔·C·库查尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F16K51/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 狭缝 设备 方法 | ||
1.一种用于控制狭缝阀的狭缝阀设备,所述狭缝阀设备包含:
狭缝阀组件,包含:
闸门,所述闸门被配置为在打开位置与关闭位置之间转换;
气动致动器,所述气动致动器包含耦接到所述闸门的移动构件,所述移动构件被配置为在所述闸门上施加力;
多个供应管线,所述多个供应管线耦接至所述气动致动器;
比例气动阀,所述比例气动阀耦接至所述多个供应管线、耦接至加压流体供应并且耦接至通气口,所述比例气动阀包含多个控制器,每个控制器被配置为独立地测量和控制所述多个供应管线的相应供应管线中的流体压力或流体流量的至少一者;以及
连续位置传感器,所述连续位置传感器被配置为连续地确定所述闸门的线性位置;以及
集中控制器,所述集中控制器与所述狭缝阀组件通信并且被配置为:
接收用于所述闸门的位置轨迹;
从所述连续位置传感器接收所述闸门的线性位置的测量;
从所述多个控制器接收所述多个相应供应管线中的流体压力或流体流量的测量的至少一者;
基于所述位置轨迹、所述线性位置的测量、及所述多个供应管线中的每个供应管线中的所述流体压力或流体流量的测量的至少一者来产生多个控制信号;以及
将相应控制信号发送至所述多个控制器的相应控制器,以调节所述多个供应管线中的所述流体压力或流体流量的至少一者,从而控制由所述移动构件施加的力,其中,在所述闸门处于关闭位置时,每一控制信号被配置为调节所述相应供应管线中的流体压力或流体流量的至少一者,从而增加在所述闸门上施加的所述力。
2.根据权利要求1所述的狭缝阀设备,其中所述狭缝阀设备包含多个狭缝阀组件。
3.根据权利要求2所述的狭缝阀设备,其中所述集中控制器与所述多个狭缝阀组件通信。
4.根据权利要求1所述的狭缝阀设备,其中通向所述气动致动器的所述流体压力或流体流量的至少一者用于控制由所述气动致动器内的所述移动构件施加在所述闸门上的所述力。
5.根据权利要求4所述的狭缝阀设备,其中在所述闸门接近所述打开位置或所述关闭位置时,每一控制信号被配置为调节所述相应供应管线中的所述流体压力或流体流量的至少一者,以便使所述闸门减速,并在所述闸门到达所述打开位置或所述关闭位置时暂停所述闸门。
6.根据权利要求4所述的狭缝阀设备,其中在所述闸门开始从所述打开位置朝向所述关闭位置移动或从所述关闭位置朝向所述打开位置移动时,每一控制信号被配置为调节所述相应供应管线中的所述流体压力或流体流量的至少一者,以便使所述闸门加速。
7.根据权利要求1所述的狭缝阀设备,其中具有以下特征中的一者:
在第一站点与第二站点之间的压力差小于300托,所述第一站点靠近所述闸门的第一侧,所述第二站点靠近所述闸门的与所述第一侧相对的第二侧,并且其中所述相应供应管线的所述流体压力从约10psig到约45psig变化;或
在第一站点与第二站点之间的压力差大于300托,所述第一站点靠近所述闸门的第一侧,所述第二站点靠近所述闸门的与所述第一侧相对的第二侧,并且其中所述相应供应管线的所述流体压力从约55psig到约80psig变化。
8.根据权利要求1所述的狭缝阀设备,其中所述连续位置传感器被配置为产生连续模拟输出或连续数字输出,以指示所述闸门在其从所述打开位置到所述关闭位置的整个运动中的所述线性位置,且反之亦然。
9.根据权利要求8所述的狭缝阀设备,其中所述连续位置传感器包含下列中的至少一者:变阻器、电感式传感器、编码器、基于光的系统、或基于电容的系统。
10.根据权利要求1所述的狭缝阀设备,其中所述比例气动阀包含被配置为在全流量与无流量之间改变流体流量的模拟控制。
11.根据权利要求10所述的狭缝阀设备,其中所述比例气动阀包含提升阀或比例短管阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造