[发明专利]抑制了交联剂的改性的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含能够交联的树脂、交联剂、下述式(I)所示的交联催化剂、和溶剂，

(A-SO₃)^-(BH)⁺ (I)

在式(I)中，

A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被除羟基以外的基团取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，

B为具有6.5～9.5的pKa的碱。

2.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有环氧基的化合物和/或具有环氧基的树脂、下述式(I)所示的交联催化剂、和溶剂，

(A-SO₃)^-(BH)⁺ (I)

在式(I)中，

A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被除羟基以外的基团取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，

B为具有6.5～9.5的pKa的碱。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述交联剂为氨基塑料交联剂或酚醛塑料交联剂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(I)中的B为R¹R²R³N，

R¹和R²各自独立地表示可以被取代的直链、或支链的饱和或不饱和的脂肪族烃基，

R¹与R²可以经由杂原子、或不经由杂原子而形成环，

R³表示可以被取代的芳香族基、或可以被取代的直链、或支链的饱和或不饱和的脂肪族烃基，

在R¹与R²不形成环时，R³为可以被取代的芳香族基。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(I)中的B为下式R¹R²R³N或下述式(II)所示的碱，

R¹R²R³N

式R¹R²R³N中，

R¹和R²各自独立地表示可以被取代的直链、或支链的饱和或不饱和的脂肪族烃基，

R³表示可以被取代的芳香族基；

在式(II)中，

R为氢原子、硝基、氰基、氨基、羧基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、包含醚键的有机基、包含酮键的有机基、包含酯键的有机基、或将它们组合而得的基团，

R’为：

-(R^a)_n-X-(R^b)_m-，

R^a和R^b各自独立地表示任意被取代了的烷基，

X为O、S、或SO₂，

n和m各自独立地为2、3、4、5、或6。

6.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式中的R³表示可以被取代的苯基、萘基、蒽基、或菲基，

所述式(II)中的R为氢原子、甲基、乙基、烯丙基、或氰基甲基，

所述式(II)中的R’为下式所示的碱，

-(CH₂)_n-O-(CH₂)_m-。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含具有醇性羟基的化合物、或具有能够形成醇性羟基的基团的化合物。