[发明专利]石墨薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种石墨薄膜的制造方法，其包括下述工序：将碳化温度为Ta的碳化框与芳香族聚酰亚胺膜或将所述芳香族聚酰亚胺膜在碳化温度Tb下进行处理而得到的碳化膜一体化，在温度Td下进行碳化，接着进行石墨化，

TaTb并且TbTd，

所述石墨薄膜的表面粗糙度(算术平均高度Sa)不足18nm，厚度为5nm以上且不足10μm，面积为1.0cm²以上且不足500cm²。

2.根据权利要求1所述的石墨薄膜的制造方法，其中，芳香族聚酰亚胺膜的厚度为10nm以上且不足20μm。

3.一种石墨薄膜的制造方法，其包括下述工序：将碳化温度为Ta的碳化框与在石墨化温度Tc下进行处理而得到的石墨膜一体化，在温度Te下进行石墨化，

TcTe，

所述石墨薄膜的表面粗糙度(算术平均高度Sa)不足18nm，厚度为5nm以上且不足10μm，面积为1.0cm²以上且不足500cm²。

4.根据权利要求3所述的石墨薄膜的制造方法，其中，石墨化温度Tc为2000℃以上且2800℃以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的石墨薄膜的制造方法，其中，碳化温度Ta为500℃以上且不足2000℃。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的石墨薄膜的制造方法，其中，膜面方向的电导率为8000S/cm以上且26000S/cm以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的石墨薄膜的制造方法，其中，碳化框是在非活性气体中对厚度10～100μm的芳香族聚酰亚胺膜进行碳化而得到的。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的石墨薄膜的制造方法，其中，在对将碳化框与芳香族聚酰亚胺膜、碳化膜、或石墨膜一体化而成的一体化物进行碳化或石墨化时，对框体施加载荷。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的石墨薄膜的制造方法，其中，所述石墨化工序中，碳化框与石墨化前相比发生了扩张。