[发明专利]检查装置在审

专利信息
申请号: 202180015828.2 申请日: 2021-02-11
公开(公告)号: CN115298795A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: M·J-J·维兰德 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H01J37/28 分类号: H01J37/28
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 张宁;杨飞
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检查 装置
【说明书】:

一种带电粒子评估工具包括多个射束列。每个射束列包括带电粒子射束源(201),被配置为发射带电粒子;多个会聚透镜(231),被配置为将从带电粒子射束源发射的带电粒子(211、212、213)形成为多个带电粒子射束;会聚透镜被配置为将多个带电粒子射束聚焦到相应中间焦点(233);以及多个物镜(234),被配置为处于所述中间焦点的下游,每个物镜被配置为将多个带电粒子射束中的一者投射到样品上;以及像差校正器(235),被配置为减小多个带电粒子射束中的一个或多个像差。射束列彼此相邻布置,以便将带电粒子射束投射到样品的相邻分区上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年2月21日提交的EP申请20158863.9和于2020年7月6日提交的EP申请20184162.4和于2020年11月11日提交的EP申请20206987.8的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本文中所提供的各实施例一般涉及一种带电粒子评估工具和检查方法,具体涉及使用带电粒子的多个子射束的带电粒子评估工具和检查方法。

背景技术

当制造半导体集成电路(IC)芯片时,作为例如光学效果和附带粒子的结果,在制造过程期间在衬底(即,晶片)或掩模上不可避免地出现非期望的图案缺陷,从而降低了成品率。因此,监测非期望的图案缺陷的程度是IC芯片制造中的重要过程。更一般地,对衬底或其他物体/材料的表面的检查、和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。

具有带电粒子射束的图案检查工具已经用于检查物体,例如,用于检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术,诸如扫描电子显微镜(SEM)。在SEM中,能量相对较高的电子的初级电子射束以最终减速步骤为目标,以便以相对较低的着陆能量着陆在样品上。电子射束作为探测斑点聚焦在样品上。探测斑点处的材料结构与来自电子射束的着陆电子之间的相互作用使得电子从表面发射,诸如次级电子、背散射电子或俄歇(auger)电子。所生成的次级电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面上扫描作为探测斑点的初级电子射束,可以跨越样品表面发射次级电子。通过从样品表面收集这些发射的次级电子,图案检查工具可以获得表示样品的表面的材料结构的特点的图像。

通常需要改进带电粒子检查装置的吞吐量和其他特点。

发明内容

本文中所提供的各实施例公开了一种带电粒子射束检查装置。

根据本发明的第一方面,提供了一种带电粒子评估工具,包括:

多个射束列,每个射束列包括带电粒子射束源,被配置为发射带电粒子;多个会聚透镜,被配置为将从带电粒子射束源发射的带电粒子形成为多个带电粒子射束;以及多个物镜,每个物镜被配置为将多个带电粒子射束中的一者投射到样品上;其中

射束列彼此相邻布置,以便将带电粒子射束投射到样品的相邻分区上。

根据本发明的第二方面,提供了一种检查方法,包括:

使用多个射束列朝向样品发射带电粒子射束,每个射束列包括:带电粒子射束源,被配置为发射带电粒子;多个会聚透镜,被配置为将从带电粒子射束源发射的带电粒子形成为多个带电粒子射束;以及多个物镜,每个物镜被配置为将多个带电粒子射束中的一者投射到样品上;其中

射束列彼此相邻布置,以便将带电粒子射束投射到样品的相邻分区上。

根据本发明的第三方面,提供了一种用于带电粒子工具的带电粒子多射束列阵列,该带电粒子工具用于向样品投射多个带电粒子多射束,该带电粒子多射束列阵列包括:

多个带电粒子多射束列,被配置为将相应多射束同时投射到样品的不同分区上;以及

焦点校正器,被配置为将群焦点校正施加到多射束的多个子射束群中的每个子射束群,每个群焦点校正对于相应群的所有子射束均相同。

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