[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

多个存储电路；

切换电路；以及

运算电路，

其中，多个所述存储电路分别具有保持权重数据的功能，

所述切换电路具有切换所述存储电路的任一个与所述运算电路的导通状态的功能，

多个所述存储电路设置在第一层，

所述切换电路及所述运算电路设置在第二层，

并且，所述第一层是与所述第二层不同的层。

2.一种半导体装置，包括：

多个存储电路；

切换电路；以及

运算电路，

其中，多个所述存储电路分别具有保持权重数据的功能以及向第一布线输出所述权重数据的功能，

所述切换电路具有切换多个所述第一布线的任一个与所述运算电路的导通状态的功能，

多个所述存储电路设置在第一层，

所述切换电路及所述运算电路设置在第二层，

并且，所述第一层是与所述第二层不同的层。

3.一种半导体装置，包括：

多个存储电路；

切换电路；以及

运算电路，

其中，多个所述存储电路分别具有保持权重数据的功能以及向第一布线输出所述权重数据的功能，

所述切换电路具有切换多个所述第一布线的任一个与第二布线的导通状态的功能，

所述运算电路具有利用输入数据与供应到所述第二布线的所述权重数据进行运算处理的功能，

多个所述存储电路设置在第一层，

所述切换电路及所述运算电路设置在第二层，

并且，所述第一层是与所述第二层不同的层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二布线包括与衬底表面大致平行设置的布线。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中所述第一布线包括与衬底表面大致垂直设置的布线。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中所述第一层包括第一晶体管，所述第一晶体管包括沟道形成区域中含有金属氧化物的半导体层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述金属氧化物包含In、Ga、Zn。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中所述第二层包括第二晶体管，所述第二晶体管包括沟道形成区域中含有硅的半导体层。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中所述运算电路是进行积和运算的电路。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中所述第一层层叠地设置在所述第二层上。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中所述权重数据是第一位数的数据，所述权重数据是通过转换学习用数据优化的第二位数的权重数据而得到的数据，并且所述第一位数比所述第二位数小。