[发明专利]用于平板x射线探测器的闪烁玻璃陶瓷、平板x射线探测器和成像系统

权利要求书

1.一种结构，所述结构包含：

光传感器阵列；和

包含闪烁玻璃陶瓷的屏幕，所述闪烁玻璃陶瓷包括宿有发光中心和光散射中心的玻璃基质，所述闪烁玻璃陶瓷配置成使入射x射线辐射转换成可见光子，其中闪烁玻璃陶瓷的表面面向光传感器阵列，其中所述光传感器阵列可操作以捕获来自屏幕的至少一部分可见光子，并使捕获的可见光子转换成电信号。

2.权利要求1所述的结构，其中所述闪烁玻璃陶瓷为用于光传感器阵列的基板。

3.权利要求1或权利要求2所述的结构，其中所述闪烁玻璃陶瓷配置成转换入射x射线辐射，所述入射x射线辐射入射到面向光传感器阵列的闪烁玻璃陶瓷的表面和/或与面向光传感器阵列的表面相反的闪烁玻璃陶瓷的表面上。

4.权利要求1至3中任一项所述的结构，其中所述光散射中心包括相同组合物的晶体或具有不同组合物的晶体的组合。

5.权利要求1至4中任一项所述的结构，其中所述发光中心包括相同组合物的晶体或具有不同组合物的晶体的组合。

6.权利要求5所述的结构，其中所述发光中心的晶体掺杂有活化剂。

7.权利要求1至6中任一项所述的结构，其中所述发光中心包括一种或多种选自来自第一和第二行过渡金属、稀土金属、锕系金属和ns²型活化剂的离子的物质。

8.权利要求7所述的结构，其中所述发光中心为Tb³⁺，并且闪烁玻璃陶瓷包含Tb₂O₃。

9.权利要求8所述的结构，其中所述Tb₂O₃的百分比为约6%。

10.权利要求1至9中任一项所述的结构，其中所述晶体为卤化物晶体。

11.权利要求1至10中任一项所述的结构，其中所述闪烁玻璃陶瓷还包含增感剂。

12.权利要求11所述的结构，其中所述增感剂为一种或多种选自ns²型和镧系离子的物质。

13.权利要求12所述的结构，其中所述离子为Gd³⁺和/或Ce³⁺。

14.权利要求1至13中任一项所述的结构，其中所述玻璃基质为卤氧化物基质。

15.权利要求1至14中任一项所述的结构，所述结构还包含增强层，所述增强层位于与面向光传感器阵列的表面相反的闪烁玻璃陶瓷的表面上。

16.权利要求15所述的结构，其中所述增强层包含选自铜、黄铜、铅和含铅玻璃的材料。

17.权利要求15或权利要求16所述的结构，其中所述入射x射线辐射具有约0.3至约20MeV的能量。

18.一种成像系统，所述成像系统包含：

处理器，所述处理器配置成与根据权利要求1至17中任一项所述的结构通信，其中所述光传感器阵列配置成产生具有多个像素的图像，

其中所述处理器配置成：

从所述结构接收电信号；并且

使用电信号产生具有多个像素的图像。