[发明专利]用于预清洁和加工晶片表面的方法和装置

权利要求书

1.一种用于处理基板的装置，包含：

工艺腔室，具有处理空间和基板支撑件，所述基板支撑件包括基座以支撑所述基板；

远程等离子体源(RPS)，流体地耦合至所述工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或所述离子化气体混合物流动至所述处理空间中以从所述基板的表面移除残留物或氧化物；

第一气体输送系统，配置成提供至少一种第一化学物质至所述处理空间中，以在所述基板的所述表面上产生自组装单层(SAM)；

加热系统，定位于所述基座中，且配置成通过在所述基板的背侧上流动气体而加热基板；和

真空系统，流体地耦合至所述工艺腔室，且配置成控制所述基板的加热。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一气体输送系统含有第一安瓿。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述第一气体输送系统含有第二安瓿，所述第二安瓿配置成提供至少一种第二化学物质至所述处理空间中，以帮助从所述基板的所述表面移除残留物或氧化物。

4.如权利要求3所述的装置，其中所述第二安瓿含有乙醇或甲醇。

5.如权利要求1所述的装置，进一步包含：

第二气体输送系统，流体地耦合至所述RPS，且配置成提供至少一种气体以从通过所述RPS生成的等离子体形成离子或自由基。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述至少一种气体为氢或氦。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述加热系统配置成从大约摄氏60度至大约摄氏450度加热所述基板，以减少在所述基板的所述表面上的氧化物。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述至少一种第一化学物质产生所述SAM，所述SAM用于作为阻挡层而用于反向选择性原子层沉积(ALD)。

9.一种用于修改基板的表面的装置，包含：

工艺腔室，配置成以远程等离子体源(RPS)从所述基板的所述表面移除残留物或氧化物，所述远程等离子体源(RPS)流体地耦合至所述工艺腔室，且配置成产生具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基流动至所述处理腔室的处理空间中；和

第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至所述工艺腔室的所述处理空间中，以在所述基板的所述表面上产生自组装单层(SAM)。

10.如权利要求9所述的装置，其中所述第一安瓿含有不饱和的基于碳的化合物。

11.如权利要求9所述的装置，进一步包含：

第二气体输送系统，流体地耦合至所述RPS，且配置成提供至少一种气体以从通过所述RPS生成的等离子体形成离子或自由基。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述至少一种气体为氢。

13.如权利要求9所述的装置，进一步包含：

第二安瓿，配置成提供至少一种第二化学物质至所述工艺腔室的所述处理空间中，以帮助从所述基板的所述表面移除残留物或氧化物。

14.如权利要求13所述的装置，其中所述第二安瓿含有伯醇。

15.如权利要求9所述的装置，其中所述至少一种第一化学物质产生所述SAM，所述SAM作为阻挡层而用于反向选择性原子层沉积(ALD)。