[发明专利]电路基板、接合体以及它们的制造方法

权利要求书

1.电路基板，其为陶瓷基板与金属电路板隔着包含银的钎料层接合的电路基板，

其中，通过EBSP法求出的所述钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。

2.根据权利要求1所述的电路基板，其中，

所述金属电路板为铜电路板，

通过EBSP法求出的、所述铜电路板中所包含的铜的KAM值的平均值为0.36°以下。

3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，

所述钎料层具有从所述金属电路板的端部露出的露出部，

所述露出部的长度L的平均值为20μm以上，

所述露出部的厚度T的平均值为4μm～30μm。

4.接合体，其为陶瓷基板与金属板隔着包含银的钎料层接合的接合体，

其中，通过EBSP法求出的所述钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。

5.根据权利要求4所述的接合体，其中，

所述金属板为铜板，

通过EBSP法求出的、所述铜板中所包含的铜的KAM值的平均值为0.36°以下。

6.根据权利要求4或5所述的接合体，其中，

所述钎料层中的银的含量为70质量％以上，

所述钎料层的厚度T的平均值为4μm～30μm。

7.接合体的制造方法，其包括：

在陶瓷基板的主面涂布包含银的钎料的工序；

将所述陶瓷基板与金属板隔着所述钎料进行叠合而得到层叠体的工序；

将所述层叠体于750℃以上的烧成温度保持10分钟以上而进行烧成的工序；和

将经烧成的层叠体在550℃以上且低于750℃的条件下保持10分钟以上而进行退火的工序。

8.根据权利要求7所述的接合体的制造方法，其中，

将所述层叠体于750℃以上的烧成温度保持的时间低于3小时，

从所述烧成温度起至低于750℃为止以1℃/分钟以上的降温速度进行冷却。

9.根据权利要求7或8所述的接合体的制造方法，其中，

在进行退火而得到的所述接合体中，所述陶瓷基板与作为所述金属板的铜板隔着包含银的钎料层而被接合，

通过EBSP法求出的所述钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下、所述铜板中所包含的铜的KAM值的平均值为0.36°以下。

10.电路基板的制造方法，其包括：将利用权利要求7～9中任一项所述的制造方法得到的接合体中的所述金属板的一部分除去而形成金属电路板，从而得到电路基板的工序。

11.根据权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，

所述电路基板具有钎料层从所述金属电路板的端部露出的露出部，

所述露出部的长度L的平均值为20μm以上，

所述钎料层的厚度T的平均值为4μm～30μm。