[发明专利]非水电解质二次电池、集电体及它们的制造方法

权利要求书

1.一种非水电解质二次电池，其具有：

正极，具有正极集电体及与该正极集电体接触的正极活性物质层，该正极集电体具有树脂薄膜和配置于该树脂薄膜的单面的导电层；

负极，具有负极集电体及与该负极集电体接触的负极活性物质层，该负极集电体具有树脂薄膜和配置于该树脂薄膜的单面的导电层；以及

隔膜，配置于该正极与该负极之间，

所述非水电解质二次电池中，

所述正极集电体及所述负极集电体中的至少一者的导电层的厚度为10～1000nm，该导电层固着于所述树脂薄膜，

所述非水电解质二次电池是所述正极集电体的所述树脂薄膜的周围与所述负极集电体的所述树脂薄膜的周围重叠并熔接，并在被这些树脂薄膜包围的内部含有非水电解质而成的。

2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中，

固着有所述厚度为10～1000nm的导电层的树脂薄膜的厚度为20μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的非水电解质二次电池，其中，

固着有所述厚度为10～1000nm的导电层的树脂薄膜在与该导电层的界面处的电子传导率为1×10⁵S/m以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，

所述正极集电体的导电层包含铝，所述负极集电体的导电层包含选自铜及镍中的至少一种。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，

所述固着于树脂薄膜的厚度为10～1000nm的导电层是蒸镀膜。

6.一种集电体，其具有树脂薄膜和固着于该树脂薄膜的单面的导电层，该导电层的厚度为10～1000nm。

7.根据权利要求6所述的集电体，其中，

所述树脂薄膜的厚度为20μm以下。

8.根据权利要求6或7所述的集电体，其中，

所述导电层为蒸镀膜。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的集电体，其中，

在所述树脂薄膜的周围未配置所述导电层。

10.一种非水电解质二次电池的制造方法，其包括如下步骤：

配置权利要求6至9中任一项所述的集电体作为正极集电体及负极集电体中的至少一个集电体。

11.根据权利要求10所述的非水电解质二次电池的制造方法，其包括如下步骤：

配置权利要求6至9中任一项所述的集电体作为正极集电体及负极集电体。

12.根据权利要求11所述的非水电解质二次电池的制造方法，其包括如下步骤：

通过将所述正极集电体的所述树脂薄膜的周围与所述负极集电体的所述树脂薄膜的周围重叠并进行熔接，由此在被这些树脂薄膜包围的内部封入非水电解质。

13.一种集电体的制造方法，其包括如下步骤：

在树脂薄膜的单面上的除了该树脂薄膜的周围以外的部分，通过蒸镀或镀敷形成厚度为10～1000nm的导电层。