[发明专利]沉积系统和处理系统在审
申请号: | 202180006854.9 | 申请日: | 2021-07-27 |
公开(公告)号: | CN114729448A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 金洙焕;金铉埈;朴瑛琳;白东官;丁炯硕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;肖学蕊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 系统 处理 | ||
根据本发明的实施例的沉积系统包括:反应室;气体供应单元,其用于将气态前体供应到反应室;反应物供应单元,其用于将与前体反应的反应物供应到反应室;以及排放单元,其用于从反应室排出排放物,其中:气体供应单元包括顺序地连接的副箱、液体流量控制器和蒸发器;前体借助于自动填充系统以液态填充到气体供应单元的副箱中,并且经由副箱、液体流量控制器和蒸发器被供应到反应室;并且排放单元包括应用等离子体预处理系统的处理工艺室、泵和洗涤器,从而稳定地供应前体而不更换罐,提高泵的寿命,并且提高洗涤器的效率。因此,通过使用根据本发明的实施例的沉积系统,从大规模生产的视角来看,可以提高设备的维护和管理的容易性。
技术领域
本发明构思涉及一种沉积系统和处理系统。
背景技术
在衬底上形成薄膜的典型方法包括化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。在CVD和ALD工艺中,各种反应物可以用于在衬底的表面上形成薄膜。在该工艺中,液体反应物通常被相变为气态并被供应到反应室。在完成沉积工艺之后,在排放阶段排出该工艺的排放材料。然而,当使用蒸发器来增加液体反应物的供应时,由于该工艺的排放材料的增加,可能缩短供应液体反应物的罐的更换周期,并且可能缩短泵的更换周期。此外,由于在更换罐和泵时必须停止操作沉积系统的设备,因此从大规模生产的视角来看,有必要改善沉积系统以便于沉积设备的维护和管理。
发明内容
技术问题
本发明构思的一方面提供一种从大规模生产的视角来看便于沉积设备的维护和管理的沉积系统。
技术方案
根据本发明构思的一方面,沉积系统包括:反应室;第一气体供应单元,其被配置为以气态向反应室供应存储在第一主箱中的液体第一前体;反应物供应单元,其被配置为将与第一前体反应的反应物供应到反应室;以及排放单元,其被配置为排出从反应室生成的排放材料,其中,第一气体供应单元包括第一副箱、第一液体质量流量控制器和第一蒸发器,通过第一自动再填充系统填充在第一副箱中的第一前体通过经过第一副箱、第一液体质量流量控制器和第一蒸发器被供应到反应室,第一自动再填充系统操作以用以液态存储在第一主箱中的第一前体周期性地填充第一副箱,并且排放单元包括等离子体预处理系统室、泵和洗涤器,用于提高排放材料的分解速率的等离子体预处理系统被应用于等离子体预处理系统室。
根据本发明构思的一方面,沉积系统包括:反应室;一个或多个气体供应单元,其被配置为以气态向反应室供应至少一种前体;反应物供应单元,其被配置为将与前体反应的反应物供应到反应室;以及排放单元,其被配置为排出从反应室生成的排放材料,其中,一个或多个气体供应单元包括:副箱,前体存储在副箱中;蒸发器,其用于以气态向反应室供应前体;以及液体质量流量控制器,其控制供应到蒸发器的前体的量,排放单元包括等离子体预处理系统室、泵和洗涤器,并且在使用等离子体预处理系统改变排放材料的化学结构之后,等离子体预处理系统室通过泵排放排放材料。
根据本发明构思的一方面,工艺系统包括:至少一个自动再填充系统,其被配置为用处于液态的工艺材料自动地填充副箱;气体供应系统,其被配置为以气态向反应室供应存储在副箱中的工艺材料;以及等离子体预处理系统,其被配置为引发等离子体放电以改变从反应室排出的排放材料的化学结构,其中,气体供应系统被配置为操作连接在副箱与反应室之间的液体质量流量控制器和蒸发器,并且液体质量流量控制器被配置为控制供应到蒸发器的工艺材料的量。
有益效果
根据本发明构思的一方面,沉积系统可以使用应用于副箱的自动再填充系统(ARS),而不是周期性地更换罐,从而将液体反应物溶液维持在可以被不间断地供应的状态中。此外,通过将等离子体预处理系统(PPS)应用于排放单元,可以增加泵的寿命,并且可以提高洗涤器的效率。
本发明的各种有益优点和效果不限于以上描述,并且在描述本发明的特定实施例的工艺中可以被更容易地理解。
附图说明
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