[发明专利]半导体装置制造用片及其制造方法、以及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，

所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，

所述中间层含有重均分子量为20000～100000的非硅类树脂(β1)作为主要成分，

进一步，至少所述膜状粘合剂含有成分(α2)或至少所述粘着剂层含有成分(γ2)，

所述成分(α2)在23℃的温度下为液状，且不具有与所述膜状粘合剂所含有的主要成分进行反应的官能团，

所述成分(γ2)在23℃的温度下为液状，且不具有与所述粘着剂层所含有的主要成分进行反应的官能团，

将由所述非硅类树脂(β1)构成的厚度为10μm的膜状的第一试验片的雾度设为H(β)，

在所述膜状粘合剂含有所述成分(α2)的情况下，将由100质量份的所述非硅类树脂(β1)与10质量份的所述成分(α2)的混合物构成的厚度为10μm的膜状的第二试验片的雾度设为H(βα)，此时，所述H(βα)及H(β)满足下述式(X1)：

(X1)H(βα)-H(β)＞7％，

在所述粘着剂层含有所述成分(γ2)的情况下，将由100质量份的所述非硅类树脂(β1)与10质量份的所述成分(γ2)的混合物构成的厚度为10μm的膜状的第三试验片的雾度设为H(βγ)，此时，所述H(βγ)及H(β)满足下述式(X2)：

(X2)H(βγ)-H(β)＞7％。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用片，其中，

进一步，至少所述膜状粘合剂含有在23℃的温度下为固体状的成分(α1)作为主要成分、或至少所述粘着剂层含有在23℃的温度下为固体状的成分(γ1)作为主要成分，

所述成分(α1)及成分(γ1)为具有由(甲基)丙烯酸酯衍生的结构单元的丙烯酸树脂。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用片，其中，

所述中间层含有选自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及聚烯烃组成的组中的一种或两种以上作为所述非硅类树脂(β1)。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，

所述中间层含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作为所述非硅类树脂(β1)，

在所述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯衍生的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例为30质量％以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置制造用片，其用于通过对所述膜状粘合剂进行冷却并进行扩展来切断所述膜状粘合剂。

6.一种半导体装置制造用片的制造方法，其为权利要求1～5中任一项所述的半导体装置制造用片的制造方法，

所述制造方法具有下述工序中的任一工序或两个工序：

制作含有所述成分(α2)的所述膜状粘合剂的膜状粘合剂制作工序；

制作含有所述成分(γ2)的所述粘着剂层的粘着剂层制作工序。

7.一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为使用了权利要求1～5中任一项所述的半导体装置制造用片的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其中，

所述带膜状粘合剂的半导体芯片具备半导体芯片与设置于所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂，

所述制造方法具有以下工序：

对所述半导体装置制造用片进行加热，同时将其中的所述膜状粘合剂贴附于半导体晶圆的背面的工序；

从贴附有所述膜状粘合剂的所述半导体晶圆的电路形成面侧，对所述半导体晶圆的厚度方向的整个区域进行切割而分割所述半导体晶圆，由此制作所述半导体芯片，同时沿着所述半导体装置制造用片的厚度方向，从所述半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂侧切割至所述中间层的中间区域，切断所述膜状粘合剂且不切割至所述粘着剂层，由此得到多个所述带膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及

从所述中间层上拉离所述带膜状粘合剂的半导体芯片而进行拾取的工序。

8.一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为使用了权利要求1～5中任一项所述的半导体装置制造用片的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其中，

所述带膜状粘合剂的半导体芯片具备半导体芯片与设置于所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂，

所述制造方法具有以下工序：

以聚焦于设定在半导体晶圆的内部的焦点的方式照射激光，从而在所述半导体晶圆的内部形成改质层的工序；

对形成所述改质层之后的所述半导体晶圆的背面进行研磨，同时利用施加在所述半导体晶圆上的进行研磨时的力从而在所述改质层的形成部位分割所述半导体晶圆，得到多个所述半导体芯片处于整齐排列的状态的半导体芯片组的工序；

加热所述半导体装置制造用片，同时将其中的所述膜状粘合剂贴附于所述半导体芯片组中的所有所述半导体芯片的背面的工序；

对贴附于所述半导体芯片之后的所述半导体装置制造用片进行冷却，同时沿与其表面平行的方向进行拉伸，由此沿着所述半导体芯片的外周切断所述膜状粘合剂，得到多个所述带膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及

从所述中间层上拉离所述带膜状粘合剂的半导体芯片而进行拾取的工序。