[发明专利]树脂膜、复合片及带第一保护膜的半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种树脂膜，其为固化性的树脂膜，其中，

当所述树脂膜为热固性时，一边以0.5MPa的压力对所述树脂膜进行加压，一边于130℃加热4小时，由此使所述树脂膜热固化，当所述树脂膜为能量射线固化性时，以照度为230mW/cm²、光量为560mJ/cm²的条件对所述树脂膜照射能量射线，由此使所述树脂膜能量射线固化，将厚度为0.5mm、宽度为4.5mm的所得到的固化物用作第一试验片，对所述第一试验片的长15mm的部位进行热机械分析，测定所述第一试验片的温度从-75℃开始到成为与玻璃化转变温度相同的温度为止的所述第一试验片的线膨胀率α1时，所述α1为65ppm/K以下，

所述热机械分析中，以5℃/分钟的升温速度对所述第一试验片进行加热，由此使所述第一试验片的温度从常温上升至100℃，接着以5℃/分钟的降温速度对所述第一试验片进行冷却，由此使所述第一试验片的温度下降至-75℃，接着以5℃/分钟的升温速度对所述第一试验片进行加热，由此使所述第一试验片的温度上升至260℃。

2.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，在进行所述热机械分析时，测定所述第一试验片的温度从与玻璃化转变温度相同的温度开始到成为260℃为止的所述第一试验片的线膨胀率α2时，所述α2为165ppm/K以下。

3.根据权利要求1或2所述的树脂膜，其中，将直径为25mm、厚度为1mm的所述树脂膜用作第二试验片，在温度为90℃、频率为1Hz的条件下使所述第二试验片产生应变，测定所述第二试验片的储能模量，并且将所述第二试验片的应变为1％时的所述第二试验片的储能模量设为Gc1、将所述第二试验片的应变为300％时的所述第二试验片的储能模量设为Gc300时，由下述式计算出的X值为19以上且小于10000，

X＝Gc1/Gc300。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂膜，其中，所述树脂膜用于对凹凸面的贴附。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂膜，其中，所述树脂膜用于保护半导体芯片的凹凸面及侧面。

6.一种复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的树脂膜，

所述树脂膜为权利要求1～5中任一项所述的树脂膜。

7.根据权利要求6所述的复合片，其中，所述支撑片具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层，所述粘着剂层配置于所述基材与所述树脂膜之间。

8.根据权利要求6所述的复合片，其中，所述支撑片具备基材与设置在所述基材的一个面上的缓冲层，所述缓冲层配置于所述基材与所述树脂膜之间。

9.一种带第一保护膜的半导体芯片的制造方法，其为使用了半导体晶圆的带第一保护膜的半导体芯片的制造方法，其中，

所述带第一保护膜的半导体芯片具备半导体芯片与设置于所述半导体芯片的侧面及具有凸点的面的第一保护膜，

所述半导体晶圆在其一个面具有凸点与作为所述半导体晶圆的分割位置的沟槽，

所述制造方法具有贴附工序，所述贴附工序中，将权利要求6～8中任一项所述的复合片中的所述树脂膜贴附于所述半导体晶圆的所述一个面，由此制作在所述一个面具备所述树脂膜、且所述沟槽被所述树脂膜填充的带树脂膜的半导体晶圆，

所述制造方法还具有：

在所述贴附工序后，使所述树脂膜固化而形成所述第一保护膜，由此制作具备所述半导体晶圆与设置于所述半导体晶圆的所述一个面且填充于所述沟槽的第一保护膜的带第一保护膜的半导体晶圆的固化工序(1)；在所述固化工序(1)后，分割所述半导体晶圆，由此制作具备多个所述半导体芯片与设置于多个所述半导体芯片的具有所述凸点的面及所述半导体芯片之间的间隙的所述第一保护膜的带第一保护膜的半导体芯片组的分割工序(1)；及在所述分割工序(1)后，沿着所述带第一保护膜的半导体芯片组中的所述半导体芯片之间的间隙切断所述第一保护膜，由此制作所述带第一保护膜的半导体芯片的切断工序(1)；或者

在所述贴附工序后且所述固化工序(1)之后，沿着所述带第一保护膜的半导体晶圆中的所述沟槽切割所述第一保护膜，由此制作带已被切割的第一保护膜的半导体晶圆的切断工序(2)；及在所述切断工序(2)后，分割所述半导体晶圆，由此制作所述带第一保护膜的半导体芯片的分割工序(2)；或者

在所述贴附工序后，分割所述半导体晶圆，由此制作具备多个所述半导体芯片与设置于多个所述半导体芯片的具有所述凸点的面及所述半导体芯片之间的间隙的所述树脂膜的带树脂膜的半导体芯片组的分割工序(3)；在所述分割工序(3)后，使所述树脂膜固化而形成所述第一保护膜，由此制作具备多个所述半导体芯片与设置于多个所述半导体芯片的具有所述凸点的面及所述半导体芯片之间的间隙的所述第一保护膜的带第一保护膜的半导体芯片组的固化工序(3)；及在所述固化工序(3)后，沿着所述带第一保护膜的半导体芯片组中的所述半导体芯片之间的间隙切断所述第一保护膜，由此得到所述带第一保护膜的半导体芯片的切断工序(3)。