[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一氮化物基半导体层，其安置在衬底上方；

第二氮化物基半导体层，其安置于所述第一氮化物基半导体层上，且具有比所述第一氮化物基半导体层的带隙大的带隙；

第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方；

第一栅极电极和第二栅极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方以及所述第一和第二源极/漏极电极之间，所述第一栅极电极比所述第二栅极电极更靠近所述第一源极/漏极电极；

第一钝化层，其安置在所述第二氮化物基半导体层上且覆盖所述第一和第二栅极电极；

导电层，其安置于所述第一钝化层上方且包括：

电极部分，其位于所述第一和第二栅极电极之间且与所述第二氮化物基半导体层接触；以及

场板部分，其位于所述第一和第二栅极电极上方且直接连接到所述电极部分；

所述导电层设置有开口，所述导电层的开口暴露所述第一栅极电极的一部分和/或所述第二栅极电极的一部分，所述开口的延伸方向与所述第一栅极电极和/或所述第二栅极电极的延伸方向一致；

所述第一栅极电极在垂直于所述第一栅极电极的延伸方向上靠近所述第一源极/漏极电极的边缘被所述场板部分连续覆盖；和/或，所述第二栅极电极在垂直于所述第二栅极电极的延伸方向上靠近所述第二源极/漏极电极的边缘被所述场板部分连续覆盖；以及

第二钝化层，其安置在所述第一钝化层和所述导电层上，且具有在所述导电层的所述电极部分和所述场板部分之间的并穿透所述导电层以与所述第一钝化层接触的至少一个部分。

2.根据前述权利要求的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二钝化层的所述部分完全被所述导电层环绕。

3.根据前述权利要求的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层具有位于所述第一和第二栅极电极中的至少一个的正上方的内部侧壁。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述内部侧壁形成所述导电层的闭合环路内边界。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层的所述电极部分和场板部分分别具有面向彼此的侧壁。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层进一步包括位于其边缘处且连接所述电极部分和场板部分的连接部分。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二氮化物基半导体层上的所述第一和第二栅极电极的边缘的部分的竖直突起脱离所述第二氮化物基半导体层上的所述导电层的竖直突起。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从俯视图来看，所述导电层具有彼此平行的多个条带。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第一和第二栅极电极平行于所述导电层的所述条带。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

接触通孔，其与所述导电层的所述电极部分接触。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述场板部分具有侧壁，所述侧壁的底部低于形成于所述导电层和所述接触通孔之间的界面。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述场板部分具有侧壁，所述侧壁的顶部高于形成于所述导电层和所述接触通孔之间的界面。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从俯视图来看，所述第一和第二栅极电极中的每一个具有在所述电极部分和场板部分的侧壁之间的侧壁。