[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202180003713.1 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN115516641A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 张微;黄炜赟;宋亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;孙琦 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括:
衬底基板,至少包括第一显示区域;
多个子像素,位于所述衬底基板上的第一显示区域,至少部分子像素中的每个子像素包括发光元件,所述发光元件包括发光功能层以及沿垂直于所述衬底基板的方向位于所述发光功能层两侧的第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述发光功能层与所述衬底基板之间,所述发光功能层包括多个膜层,
其中,所述显示基板还包括限定结构,至少两个相邻子像素之间设置有至少一个限定结构,所述限定结构包括层叠设置的第一子结构和第二子结构,所述第一子结构位于所述第二子结构与所述衬底基板之间,所述第一子结构的材料与所述第二子结构的材料不同;
沿相邻子像素的排列方向,位于该相邻子像素之间的所述限定结构中所述第二子结构的边缘相对于所述第一子结构的边缘突出以形成突出部;或者,所述第二子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第一坡度角,所述第一子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的平面的坡度角为第二坡度角,所述第一坡度角与所述第二坡度角的至少之一大于60度,且所述第二子结构的靠近所述第一子结构的表面面积不小于所述第一子结构和所述第二子结构的接触面的面积;
所述多个膜层中的至少一层在所述限定结构处断开。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一子结构的材料包括有机材料,且所述第二子结构的材料包括无机非金属材料。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一子结构的材料和所述第二子结构的材料均包括无机非金属材料。
4.根据权利要求2或3所述的显示基板,还包括:
有机层,位于所述第二子结构与所述衬底基板之间。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述第一子结构的材料包括有机材料,且所述第一子结构与所述有机层为一体化的结构;或者,
所述第一子结构的材料包括无机非金属材料,且所述第一子结构设置在所述有机层远离所述衬底基板一侧的表面上。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述限定结构还包括第三子结构,所述第三子结构位于所述第一子结构与所述衬底基板之间,沿相邻子像素的排列方向,位于该相邻子像素之间的所述限定结构中所述第一子结构的边缘相对于所述第三子结构的边缘突出,且所述第三子结构与所述有机层为一体化的结构。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述第三子结构的至少部分侧表面与平行于所述第一子结构和所述第三子结构的接触面的平面的坡度角为第三坡度角,所述第三坡度角大于60度。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示基板,其中,所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括矩形;或者,
所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括梯形,所述梯形远离衬底基板一侧的底边的长度大于所述梯形靠近衬底基板一侧的底边的长度;或者,
所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面包括梯形,所述梯形远离衬底基板一侧的底边的长度小于所述梯形靠近衬底基板一侧的底边的长度。
9.根据权利要求1-7任一项所述的显示基板,其中,所述第一子结构被沿所述相邻子像素的排列方向且垂直于所述衬底基板的平面所截的第一截面中包括两条短边以及沿平行于所述衬底基板的方向延伸的两条长边,所述长边和所述短边连接,所述第一截面中靠近所述衬底基板一侧的所述长边与所述短边之间的夹角为第一夹角,所述第一截面中远离所述衬底基板一侧的所述长边与所述短边之间的夹角为第二夹角;
所述第一夹角为70度~110度,和/或,所述第二夹角为70度~110度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的