[发明专利]存储器及其操作方法、存储器系统

说明书

本申请实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统，其中，存储器的操作包括：采用多面编程模式对存储器的多个存储面中的至少两个存储面同时进行编程操作；确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作。

技术领域

本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种存储器及其操作方法、存储器系统。

背景技术

根据存储器的存储单元阵列的结构配置，可以将存储器分为单存储面(Plane)类型和多存储面类型。单存储面类型的存储器包括一个存储面；多存储面类型的存储器包括多个存储面。对于多存储面类型的存储器，可以采用多面编程模式同时对存储器的两个或更多个存储面进行编程，以提高编程效率。

采用多面编程模式固然能提高编程效率，但不可避免的会存在邻面干扰的问题，例如，采用多面编程模式的情况下，如果一个存储面发生编程失败，经常会在同时编程的其它多个存储面上发生编程失败。因此，亟待提供一种编程方法，在保证一定的编程效率的前提下，减小邻面干扰带来的不利影响。

发明内容

为解决现有存在的技术问题的一个或多个，本申请实施例提出一种存储器及其操作方法、存储器系统。

本申请实施例提供了一种存储器的操作方法，包括：

采用多面编程模式对存储器的多个存储面中的至少两个存储面同时进行编程操作；

确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作。

上述方案中，所述采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作，包括：

在采用单面编程模式时，针对每一存储面，在相应存储面的第一选中字线上施加第一编程电压；

其中，所述第一编程电压小于第二编程电压；所述第二编程电压为确定存在编程异常的存储面时，施加在所述相应存储面的所述第一选中字线上的编程电压；所述第一选中字线为确定存在编程异常的存储面时，相应存储面的选中字线。

上述方案中，所述方法还包括：

在所述相应存储面的第一选中字线上施加第一编程电压时；在所述相应存储面中未选中的字线上施加第一导通电压；所述第一导通电压小于第二导通电压；所述第二导通电压为确定存在编程异常的存储面时，施加在所述相应存储面的未选中字线上的导通电压。

上述方案中，所述确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面，包括：

检测所述至少两个存储面中当前编程的存储单元的编程验证次数；

当所述编程验证次数超出当前待写入数据对应的预设次数时，确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面。

上述方案中，所述方法还包括：

利用不同的电压源，分别给不同存储面中的当前编程的存储单元施加编程验证电压。

上述方案中，所述方法还包括：

利用不同的电压源，分别给同一存储面中的不同字线对应的存储单元施加编程验证电压。

上述方案中，所述确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作，包括：

确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，直接采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作；或者，