[发明专利]LED封装器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LED封装器件，其特征在于，包括：

封装基板，包括一个安装面，所述安装面配置有固晶区和非固晶区；

LED芯片，设在所述封装基板的固晶区；

封装层，覆盖所述封装基板的固晶区和非固晶区；所述LED芯片位于所述封装层和所述封装基板之间；所述LED芯片外围的所述封装层配置有台阶结构，所述台阶结构中的台阶按照自上至下顺序定义为第1台阶、第2台阶、第n台阶；每个所述台阶均包括一个台阶面与一个竖向面，所述第1台阶的竖向面与LED芯片之间的最大水平距离小于所述第n台阶的竖向面与LED芯片之间的水平距离。

2.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于，所述台阶结构包括多个台阶，多个所述台阶沿封装基板高度方向布置。

3.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于，所述竖向面的粗糙度大于100μm。

4.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于，所述第1台阶的台阶面与LED芯片之间的最小垂直距离为第一厚度，所述第1台阶的竖向面与LED芯片之间的最小水平距离为第二厚度，所述第一厚度与所述第二厚度的比值介于1:5～3:1。

5.根据权利要求4所述的LED封装器件，其特征在于，所述第n台阶的台阶面与封装基板安装面之间的垂直距离为第三厚度，所述第一厚度与所述第三厚度的比值介于1:4～3:1。

6.根据权利要求5所述的LED封装器件，其特征在于，所述第二厚度与所述第三厚度的比值介于1:4～5:1。

7.根据权利要求6所述的LED封装器件，其特征在于，在所述LED芯片的厚度介于200～400μm时，所述第一厚度与所述第二厚度的比值介于1:5～2:1；所述第一厚度与所述第三厚度的比值介于1:2～2:1；所述第二厚度与所述第三厚度的比值介于1:2～5:1。

8.根据权利要求6所述的LED封装器件，其特征在于，在所述LED芯片的厚度介于400～700μm时，所述第一厚度与所述第二厚度的比值介于1:5～3:1；所述第一厚度与所述第三厚度的比值介于1:4～3:1；所述第二厚度与所述第三厚度的比值介于1:4～5:1。

9.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于，除第n台阶之外的所有台阶的竖向面与相邻台阶面之间的角度介于90°～120°。

10.根据权利要求9所述的LED封装器件，其特征在于，除第n台阶之外的所有台阶的竖向面与相邻台阶面之间的角度为90°。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的LED封装器件，其特征在于，所述封装基板配置有凹陷区，所述凹陷区环绕于所述LED芯片外围。

12.根据权利要求11所述的所述的LED封装器件，其特征在于，所述凹陷区沿所述LED芯片周向间断布置；或者，所述凹陷区沿所述LED芯片周向连续布置。

13.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于，所述LED芯片的波长小于400nm。

14.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于，所述封装层的材料为含氟材料。

15.一种如权利要求1～14中任一项所述的LED封装器件的制备方法，其特征在于，包括：

将所述LED芯片固定在所述封装基板上；

在所述LED芯片远离封装基板的表面、侧壁，以及所述封装基板除所述LED芯片之外的区域形成所述封装层；

对位于所述LED芯片外围的所述封装层进行预切处理，以形成所述台阶结构。

16.一种如权利要求1～14中任一项所述的LED封装器件的制备方法，其特征在于，包括：

将多个所述LED芯片固定在所述封装基板；

在每个所述LED芯片远离封装基板的表面、侧壁，以及所述封装基板除所述LED芯片之外的区域形成所述封装层；

对位于每个所述LED芯片外围的所述封装层进行预切处理，以形成所述台阶结构；

切割相邻LED芯片之间的所述台阶结构，形成所述LED封装器件。