[发明专利]三维相变存储器器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器器件，包括：

堆叠层结构，所述堆叠层结构包括交错的多个字线层和多个电介质层；以及

多个相变存储器(PCM)串，所述相变存储器串中的每一个在第一方向上延伸穿过所述堆叠层结构，并且包括：

隔离结构，所述隔离结构在所述第一方向上延伸穿过所述堆叠层结构；以及

多个相变存储器串部分，所述多个相变存储器串部分由所述隔离结构分离，每个相变存储器串部分包括局部位线、选择器层和多个相变存储器结构，所述选择器层外接所述局部位线，所述多个相变存储器结构在所述选择器层与所述多个字线层之间。

2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中，所述隔离结构在第二方向上延伸，以分离所述多个相变存储器串部分，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储器器件，其中，所述隔离结构在平面图中包括条带形状，并且所述多个相变存储器串部分的数量为二。

4.根据权利要求1或2所述的三维存储器器件，其中，所述隔离结构在平面图中包括十字形状，并且所述多个相变存储器串部分的数量为四。

5.根据权利要求2所述的三维存储器器件，还包括全局位线，所述全局位线在所述第二方向上延伸并且与相应的局部位线接触。

6.根据权利要求1或2所述的三维存储器器件，还包括一个或多个缝隙结构，所述一个或多个缝隙结构在所述第一方向上延伸穿过所述堆叠层结构，以将所述多个字线层中的每一个分离为多条字线。

7.根据权利要求6所述的三维存储器器件，还包括由两个相邻的缝隙结构限定的指，每条全局位线与每个指中的一个相应的相变存储器串部分接触。

8.根据权利要求1或2所述的三维存储器器件，其中，所述选择器层包括阈值开关材料。

9.根据权利要求1或2所述的三维存储器器件，其中，所述多个相变存储器结构在所述第一方向上由所述多个电介质层分离。

10.根据权利要求1或2所述的三维存储器器件，其中，所述多个相变存储器结构中的每一个包括相变存储器元件。

11.根据权利要求10所述的三维存储器器件，其中，所述相变存储器元件包括相变材料。

12.根据权利要求1或2所述的三维存储器器件，其中，所述隔离结构的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他绝缘材料。

13.一种三维(3D)存储器器件，包括：

堆叠层结构，所述堆叠层结构包括交错的多个字线层和多个电介质层；以及

多个相变存储器(PCM)串，所述相变存储器串中的每一个在第一方向上延伸穿过所述堆叠层结构，并且包括：

局部位线，所述局部位线在所述第一方向上延伸；

选择器层，所述选择器层外接所述局部位线；

多个隔离结构，所述多个隔离结构在所述第一方向上延伸并且在第二方向上耦合到所述选择器层，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；以及

多个相变存储器结构，所述多个相变存储器结构在所述第二方向上在所述选择器层与所述多个字线层之间，所述多个相变存储器结构中的每一个在所述第二方向上在所述多个隔离结构中的两个之间。

14.根据权利要求13所述的三维存储器器件，还包括一个或多个缝隙结构，每个缝隙结构形成在两个相应的相变存储器串的两个隔离结构之间。

15.根据权利要求14所述的三维存储器器件，还包括全局位线，所述全局位线在所述第二方向上延伸并且与相应的局部位线接触。