[发明专利]具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件有效
| 申请号： | 202180000898.0 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113168883B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 林尚伍 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 使用 冗余 故障 修复 存储器 器件 | ||
1.一种存储器器件，包括：
存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个库，所述多个库包括冗余库和多个主库；
输入/输出(I/O)电路，所述输入/输出电路耦合到所述多个库中的每一对相邻库，并且被配置为将数据片段引导到每一对相邻库中的任一库或从所述每一对相邻库中的所述任一库引导所述数据片段，所述输入/输出电路包括多个写入多路复用器(MUX)和多个读取多路复用器；以及
控制逻辑，所述控制逻辑耦合到所述输入/输出电路，并且被配置为：
基于指示所述多个主库中的故障主库的库故障信息选择每一对相邻库中的一个库；并且
控制所述输入/输出电路以将所述数据片段引导到每一对相邻库中的选择的库或从所述每一对相邻库中的所述选择的库引导所述数据片段，
其中，所述冗余库中的一个冗余库位于所述多个主库中的两个主库之间，并且
其中，所述一个冗余库耦合到所述多个写入多路复用器中的一个写入多路复用器，并且耦合到所述多个读取多路复用器中的两个读取多路复用器。
2.根据权利要求书1所述的存储器器件，其中，至少一对相邻库均为主库。
3.根据权利要求1或2所述的存储器器件，其中
一对相邻库中的第一库是所述故障主库；并且
所述控制逻辑被配置为控制所述输入/输出电路以将所述数据片段引导到所述一对相邻库中的第二库或从所述一对相邻库中的所述第二库引导所述数据片段。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中
所述多个写入多路复用器中的第一写入多路复用器具有两个输入和耦合到所述第一库的输出，所述两个输入中的一个输入被配置为输入所述数据片段；以及
所述多个写入多路复用器中的第二写入多路复用器具有两个输入和耦合到所述第二库的输出，所述两个输入被配置为分别输入所述数据片段和另一数据片段。
5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述控制逻辑还被配置为：
控制所述第一写入多路复用器以禁止将所述数据片段输出到所述第一库；并且
控制所述第二写入多路复用器以使能将所述数据片段输出到所述第二库。
6.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述多个读取多路复用器中的第一读取多路复用器具有分别耦合到所述第一库和所述第二库的两个输入以及被配置为输出所述数据片段的输出。
7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述控制逻辑还被配置为控制所述第一读取多路复用器以使能从所述第二库输出所述数据片段。
8.根据权利要求1-2和4-7中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述冗余库通过所述输入/输出电路耦合到所述多个主库中的两个主库。
9.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述存储器器件包括三维(3D)NAND存储器器件。
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