[实用新型]一种红外吸收层及应用其的红外热电堆探测器有效
| 申请号： | 202123423716.7 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN216717612U | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 宏宇;武斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市美思先端电子有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12;H01L35/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明区凤凰*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 吸收 应用 热电 探测器 | ||
1.一种红外吸收层，其特征在于，包括钨层、第一氮化硅层、第一二氧化硅层和第二氮化硅层，所述钨层、第一氮化硅层、第一二氧化硅层和第二氮化硅层通过等离子增强化学气相沉积、低压化学气相沉积或磁控溅射等薄膜工艺制备。
2.根据权利要求1所述的一种红外吸收层，其特征在于，所述钨层的厚度至少为1nm。
3.根据权利要求2所述的一种红外吸收层，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为0-5000nm。
4.根据权利要求3所述的一种红外吸收层，其特征在于，所述第一二氧化硅层的厚度为500nm-1500nm。
5.根据权利要求4所述的一种红外吸收层，其特征在于，所述第二氮化硅层的厚度为为200nm-5000nm。
6.一种红外热电堆探测器，其特征在于，包括权利要求1-5所述的红外吸收层、硅衬底层、氧化硅层、第一多晶硅层、第二二氧化硅层、第二多晶硅层、第三二氧化硅层和第四二氧化硅层；
所述硅衬底层抛光后在其表面热生长氧化硅层；
所述氧化硅层的表面上通过LPCVD沉积第一多晶硅层；
所述第一多晶硅层的表面上通过LPCVD沉积第二二氧化硅层；
所述第二二氧化硅层的表面上通过LPCVD沉积第二多晶硅层；
所述第二多晶硅层的表面上通过LPCVD沉积第三二氧化硅层；
所述第三二氧化硅层的表面上通过LPCVD沉积第四二氧化硅层；
所述第四二氧化硅层的表面上设置有红外吸收层；
所述第一多晶硅层和第二多晶硅层通过离子注入的方式形成n型或p型多晶硅，第一多晶硅层和第二多晶硅层通过离子注入形成的多晶硅类型不同，具备相反的塞贝克系数。
7.根据权利要求6所述的一种红外热电堆探测器，其特征在于，所述第二二氧化硅层和第三二氧化硅层上光刻腐蚀有引线孔，所述引线孔内填充有钨，所述第三二氧化硅层和第四二氧化硅层之间磁控溅射沉积铝，用于连接第一多晶硅层和第二多晶硅层。
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