[实用新型]新型半导体激光器电源

权利要求书

1.一种新型半导体激光器电源，其特征在于：包括电磁干扰滤波电路、电压缓升电路、RC滤波电路和电流稳定电路；所述电磁干扰滤波电路包括电容C1、电容C2、电容C3和变压器T1初级线圈，电容C1与变压器T1初级线圈并联，电容C2与电容C3串联后与变压器T1初级线圈并联；所述电压缓升电路包括三极管VT1、三极管VT2、电阻R3、电容C7和电容C8，电容C7与电容C8并联后与电阻R3串联再与变压器T1次级线圈并联，电容C7与电容C8并联后与三极管VT1的基极相连，三极管VT1的集电极与三极管VT2的基极相连；RC滤波电路一包括电阻R2、电容C5和电容C6，电容C5和电容C6分别与变压器T1次级线圈并联，电阻R2串联在稳压芯片7805的输出端；RC滤波电路二包括电阻R4、电容C9和电容C10，三极管VT2的发射极通过电阻R4与运放的正相输入端连接，三极管VT2的发射极通过电容C9与地连接，运放的正相输入端通过电容C10与地连接；所述电流稳定电路包括端稳压块、运放及反馈电阻R12，端稳压块连接至运放正相输入端，反馈电阻R12连接至运放负相输入端；压敏电阻R1与变压器T1初级线圈并联；运放输出端连接三极管VT3的基极。

2.根据权利要求1所述的新型半导体激光器电源，其特征在于：稳压芯片的输入端与变压器T1次级线圈连接。

3.根据权利要求1所述的新型半导体激光器电源，其特征在于：反馈电阻R12与运放LM358负相输入端之间连接电阻R11。

4.根据权利要求1所述的新型半导体激光器电源，其特征在于：变压器T1次级线圈并联一个二极管，组成整流电路。

5.根据权利要求1所述的新型半导体激光器电源，其特征在于：变压器T1初级线圈连接电源AC。

6.根据权利要求1所述的新型半导体激光器电源，其特征在于：变压器T1次级线圈并联电容C4。

7.根据权利要求1所述的新型半导体激光器电源，其特征在于：稳压二极管ZD、电容C16与激光二极管LD之间并联，稳压二极管ZD输入端与三极管VT3的集电极连接。