[实用新型]比较器、图像传感器读出电路及图像传感器有效
申请号: | 202123344023.9 | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN217307782U | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 丁畅;杨靖;莫要武;任冠京;侯金剑 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378;H04N5/355 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 梁姗 |
地址: | 200120 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比较 图像传感器 读出 电路 | ||
1.一种用于从斜坡发生器接收斜坡信号以及从双转换增益像素电路接收输出信号的比较器,所述输出信号包括低转换增益信号(LCG)以及高转换增益信号(HCG),所述低转换增益信号包括低转换增益复位信号以及低转换增益像素信号,所述高转换增益信号包括高转换增益复位信号以及高转换增益像素信号,其特征在于,所述比较器包括:
用于接收所述斜坡信号以及所述低转换增益复位信号或低转换增益像素信号以使所述比较器输出比较信号的第一差分输入对管;以及
用于接收所述斜坡信号以及所述高转换增益像素信号或高转换增益复位信号以使所述比较器输出比较信号的第二差分输入对管;
所述第一差分输入对管和所述第二差分输入对管并联。
2.根据权利要求1所述的比较器,其特征在于,所述第一差分输入对管包括第一晶体管以及第二晶体管,所述第二差分输入对管包括第三晶体管以及第四晶体管,所述第一晶体管以及第二晶体管的第一端分别作为所述第一差分输入对管的第一输入端和第二输入端;所述第三晶体管以及第四晶体管的第一端分别作为所述第二差分输入对管的第一输入端和第二输入端;所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管的第二端通过同一尾电流源接第一电位;所述第一晶体管和第二晶体管的第三端分别作为所述第一差分输入对管的第一输出端和第二输出端,所述第三晶体管以及第四晶体管的第三端分别作为所述第二差分输入对管的第一输出端和第二输出端。
3.根据权利要求2所述的比较器,其特征在于,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管为NMOS晶体管;所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管的第一端为NMOS晶体管的栅极;所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管的第二端为NMOS晶体管的源极,所述第一电位为地;所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管的第三端为NMOS晶体管的漏极。
4.根据权利要求1所述的比较器,其特征在于,所述比较器还包括第一斜坡开关,第二斜坡开关,第一位线开关,第二位线开关,第一电容,第二电容,第三电容以及第四电容;
所述第一差分输入对管的第一输入端通过所述第一电容连接所述第一斜坡开关以选择性地连接至斜坡信号线以接收所述斜坡信号,所述第一差分输入对管的第二输入端通过所述第二电容连接所述第一位线开关以选择性地连接至列位线以接收所述低转换增益复位信号或低转换增益像素信号;所述第二差分输入对管的第一输入端通过所述第三电容连接所述第二斜坡开关以选择性地连接至斜坡信号线以接收所述斜坡信号,所述第二差分输入对管的第二输入端通过所述第四电容连接所述第二位线开关以选择性地连接至列位线以接收所述高转换增益复位信号或高转换增益像素信号。
5.根据权利要求4所述的比较器,其特征在于,所述第二电容与所述第一位线开关之间还通过一第五电容接地。
6.根据权利要求1所述的比较器,其特征在于,所述比较器还包括第一负载连接开关以及第二负载连接开关;
所述第一差分输入对管的输出端以及所述第二差分输入对管的输出端通过所述第一负载连接开关和所述第二负载连接开关选择性地与一负载电路连接。
7.根据权利要求6所述的比较器,其特征在于,所述第一差分输入对管的输出端通过所述第一负载连接开关选择性地与所述负载电路连接,所述第二差分输入对管的输出端通过所述第二负载连接开关选择性地与所述负载电路连接。
8.根据权利要求7所述的比较器,其特征在于,
所述第一负载连接开关包括第一负载开关以及第二负载开关,所述第二负载连接开关包括第三负载开关以及第四负载开关;所述第一差分输入对管的输出端通过所述第一负载开关以及第二负载开关与所述负载电路选择性地连接;所述第二差分输入对管的输出端通过所述第三负载开关以及第四负载开关与所述负载电路选择性地连接;所述第一负载开关的输出端连接第三负载开关的输出端,所述第二负载开关的输出端连接第四负载开关的输出端。
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