[实用新型]一种模拟信号隔离实现装置

权利要求书

1.一种模拟信号隔离实现装置，用于实现模拟信号隔离，其特征在于，包括发送端、隔离模块和接收端，所述发送端的输入端输入信号并且所述发送端的输出端与所述隔离模块的输入端电性连接，所述隔离模块的输出端与所述接收端的输入端电性连接并且所述接收端的输出端输出隔离信号，其中：

所述发送端包括输入缓冲器、振荡器和输出驱动单元，所述输入缓冲器的正极输入端输入信号Vin并且所述输入缓冲器的输出端依次通过所述振荡器和所述输出驱动单元后与所述隔离模块的输入端电性连接；

所述接收端包括预放大器、解调器和输出缓冲器，所述隔离模块的输出端依次通过所述预放大器和所述解调器与所述输出缓冲器的正极输入端电性连接并且所述输出缓冲器的输出端输出隔离信号。

2.根据权利要求1所述的一种模拟信号隔离实现装置，其特征在于，所述振荡器包括首尾相连的第一反相器、第二反相器、第三反相器和振荡缓冲器，其中：

所述第一反相器包括场效应管PMOS1和场效应管NMOS1，所述场效应管PMOS1的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS1的栅极和所述场效应管NMOS1的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS1的源极和所述场效应管NMOS1的漏极电性连接，所述场效应管PMOS1的栅极与所述振荡缓冲器的输入端电性连接；

所述第二反相器包括场效应管PMOS2和场效应管NMOS2，所述场效应管PMOS2的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS2的栅极和所述场效应管NMOS2的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS2的源极和所述场效应管NMOS2的漏极电性连接，所述场效应管PMOS2的栅极与所述场效应管PMOS1的源极电性连接；

所述第三反相器包括场效应管PMOS3和场效应管NMOS3，所述场效应管PMOS3的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS3的栅极和所述场效应管NMOS3的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS3的源极和所述场效应管NMOS3的漏极电性连接，所述场效应管PMOS3的栅极与所述场效应管PMOS2的源极电性连接，所述场效应管PMOS3的源极与所述振荡缓冲器的输入端电性连接；

所述振荡缓冲器的输出端与所述输出驱动单元的输入端电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种模拟信号隔离实现装置，其特征在于，所述解调器包括开关S、电阻R和电容C，其中：

所述预放大器的输出端通过所述开关S与所述输出缓冲器的正极输入端电性连接，所述开关S远离所述预放大器的一端一路通过所述电阻R连接电源并且所述开关S远离所述预放大器的一端另一路通过所述电容C接地。

4.根据权利要求3所述的一种模拟信号隔离实现装置，其特征在于，所述输入缓冲器的负极输入端和输出端连接并且所述输出缓冲器的负极输入端和输出端连接。

5.根据权利要求4所述的一种模拟信号隔离实现装置，其特征在于，所述场效应管NMOS1的源极、所述场效应管NMOS2的源极和所述场效应管NMOS3的源极均接地。