[实用新型]一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置

说明书

本实用新型公开了一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，属于多晶硅生产领域，本装置包括区熔炉(1)和设于区熔炉(1)中的采样装置，采样装置包括设于区熔炉(1)上部的移动上轴(2)、籽晶夹头(3)和籽晶(4)、设于区熔炉(1)下部的移动下轴(5)、颗粒硅载体(7)和颗粒硅(8)，以及设于籽晶(4)与颗粒硅(8)之间的加热线圈(9)；移动下轴(5)的下端与区熔炉(1)底部连接，移动下轴(5)的上端与所述颗粒硅载体(7)连接，所述颗粒硅(8)设置于所述颗粒硅载体(7)中；本实用新型所述颗粒硅载体(7)为高纯多晶硅柱，使用多晶硅载体替代传统的石英试管或坩埚，避免采样过程中的二次污染，保证检测的准确性。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产领域，尤其涉及一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置。

背景技术

多晶硅是微电子行业和光伏行业的基础材料，传统生产高纯多晶硅的方法有西门子法和流化床法。当下主流的多晶硅的检测方法主要是在CVD还原生产的多晶硅棒上取样制成小棒状，再将小棒状料经过区熔炉二次晶体生长成单晶后，再取样检测纯度以及杂质含量，进而判定多晶硅的品质。流化床法生产颗粒状多晶硅通常是将高纯粒状硅做“种子”，在流化床反应器内形成流化状态，再引入高纯含硅气体在加热的流化种子上反应沉积，从而使得高纯硅种子越长越大，得到颗粒状的多晶硅。

流化床法得到的颗粒状多晶硅品质的好坏需要进行制样二次晶体生长成单晶再检测，因此首先将颗粒多晶硅即颗粒硅制作成小棒状，再二次晶体生产成单晶后进行相关品质检测。目前将颗粒硅制作成小棒状方法主要是利用石英试管或坩埚将颗粒硅熔化然后在结晶成小棒状，此过程存在严重二次污染情况，这就影响判断颗粒硅质量的准确性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中多晶硅采样检测存在的问题，提供了一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

主要提供一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，包括区熔炉和设于所述区熔炉中的采样装置，所述采样装置包括：

设于区熔炉上部的移动上轴、籽晶夹头和籽晶，所述移动上轴的上端与所述区熔炉上部连接，所述移动上轴的下端与所述籽晶夹头连接，所述籽晶夹在所述籽晶夹头上；

设于区熔炉下部的移动下轴、颗粒硅载体和颗粒硅，所述移动下轴的下端与所述区熔炉底部连接，所述移动下轴的上端与所述颗粒硅载体连接，所述颗粒硅设置于所述颗粒硅载体中；

设于所述籽晶与颗粒硅之间的加热线圈；

所述颗粒硅载体为高纯多晶硅柱。

作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述颗粒硅载体为凹型高纯硅棒。

作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述加热线圈为高频线圈。

作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述高频线圈为单匝双刃线圈。

作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述采样装置还包括升降装置，所述升降装置与所述加热线圈连接。

作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述升降装置包括电机和由所述电机驱动的升降杆，所述升降杆与所述加热线圈连接。

作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述颗粒硅载体和所述移动下轴之间设有区熔炉料座。

作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述区熔炉中接有氩气管。

作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述籽晶为方形或圆柱状。