[实用新型]一种半导体芯片切割保护膜

说明书

本实用新型涉及切割保护膜领域，特别是涉及一种半导体芯片切割保护膜，包括离型剂层、第一膜层、第一胶黏层、第二膜层及第二胶黏层；所述离型层设于所述第一膜层的上方；所述第一膜层设于所述第一胶黏层的上方；所述第一胶黏层设置于所述第二膜层的上方；所述第二膜层设置于所述第二胶黏层的上方。本实用新型提供一种保护效果好的半导体芯片切割保护膜。

技术领域

本实用新型涉及切割保护膜领域，特别是涉及一种半导体芯片切割保护膜。

背景技术

晶圆切割保护膜就是在半导体制作过程中起到保护作用；若晶圆切割时不进行固定，则容易产生飞料、背崩的问题，而且产品切割后也不容易拾取，LED晶圆衬底用切割保护膜由此诞生。

因国外技术保密和材料禁运，国内LED晶圆衬底用切割保护膜的技术仍处于前期开发探索阶段，都是先在PVC保护膜光面加工有机硅离型层，再到哑面加工丙烯酸酯涂层。但柔软的PVC膜的缺点是容易发生增塑剂的缓慢释放，增塑剂的存在会使离型剂的附着出现一定程度的下降，当PVC蓝膜复卷后，丙烯酸酯胶层会与有机硅离型层接触，硅油转移过高也会使丙烯酸酯胶层表面含硅，可能导致硅油转移到晶圆表面，进而导致晶圆存在质量风险。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种保护效果好的半导体芯片切割保护膜。

本实用新型采用如下技术方案：

一种半导体芯片切割保护膜，包括离型剂层、第一膜层、第一胶黏层、第二膜层及第二胶黏层；所述离型层设于所述第一膜层的上方；所述第一膜层设于所述第一胶黏层的上方；所述第一胶黏层设置于所述第二膜层的上方；所述第二膜层设置于所述第二胶黏层的上方。

对上述技术方案的进一步改进为，所述离型剂层的厚度为0.01～1μm。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第一膜层为TPU膜层。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第一膜层的厚度为30～100μm。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第一胶黏层为聚氨酯胶黏层。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第一胶黏层的厚度为5～20μm。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第二膜层为PVC膜层。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第二膜层的厚度为50～100μm。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第二胶黏层为丙烯酸胶黏层。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第二胶黏层的厚度为5～20μm。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型设置离型剂层、第一膜层、第一胶黏层、第二膜层及第二胶黏层，既能起到良好的切割硅晶片和扩晶等制程的保护的效果，离型剂也不会对硅晶片造成污染。

附图说明

图1为本实用新型的半导体芯片切割保护膜的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。