[实用新型]一种设置有门极开通电压控制的IGBT驱动电路

说明书

本实用新型涉及一种设置有门极开通电压控制的IGBT驱动电路，包括PWM脉冲宽度调制器、VCC正电源端、第一VEE负电源端、IGBT门极、第一NPN开关管、第一PNP开关管和第一电阻，PWM脉冲宽度调制器分别与第一NPN开关管的基极和第一PNP开关管的基极电性连接，第一NPN开关管的集电极与VCC正电源端电性连接，第一PNP开关管的集电极与第一VEE负电源端电性连接，第一NPN开关管的发射极和第一PNP开关管的发射极分别通过第一电阻与IGBT门极电性连接，PWM脉冲宽度调制器和第一NPN开关管、第一PNP开关管之间设置有速度控制电路。速度控制电路的设计，减小了IGBT门极驱动信号的传输延迟，加快了IGBT门极开通的响应速度，避免了PWM脉冲宽度调制器占空比丢失和系统响应慢的问题。

技术领域

本实用新型涉及IGBT门极控制技术领域，更具体地说，涉及一种设置有门极开通电压控制的IGBT驱动电路。

背景技术

在大功率IGBT使用中，由于电压变化率dv/dt和电流变化率di/dt较大会对系统产生较大的干扰和IGBT损坏风险，为了降低dv/dt和di/dt，通常会设计较慢的开关速度，即门极电压上升速度慢，但会导致门极电压从负压到0V的上升时间较长，使驱动的传输延时非常长，导致控制过程中占空比丢失的问题，使系统响应和控制精度受影响，本实用新型针对以上问题提出了一种新的解决方案。

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种设置有门极开通电压控制的IGBT驱动电路，以解决背景技术中所提到的技术问题。

为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。

一种设置有门极开通电压控制的IGBT驱动电路，包括PWM脉冲宽度调制器、VCC正电源端、第一VEE负电源端、IGBT门极、第一NPN开关管、第一PNP开关管和第一电阻，所述PWM脉冲宽度调制器分别与所述第一NPN开关管的基极和所述第一PNP开关管的基极电性连接，第一NPN开关管的集电极与所述VCC正电源端电性连接，第一PNP开关管的集电极与所述第一VEE负电源端电性连接，第一NPN开关管的发射极和第一PNP开关管的发射极分别通过第一电阻与所述IGBT门极电性连接，所述PWM脉冲宽度调制器和所述第一NPN开关管、第一PNP开关管之间设置有速度控制电路。

优选的是，所述速度控制电路包括第二VEE负电源端、第二NPN开关管、第三NPN开关管和电容，第二NPN开关管的基极与所述PWM脉冲宽度调制器之间通过设置的第二电阻电性连接，第二NPN开关管的发射极通过设置的第三电阻与第二NPN开关管的基极电性连接，第三NPN开关管的集电极串联有第四电阻和二极管，且二极管的正极与PWM脉冲宽度调制器电性连接，电容连接在第三NPN开关管的集电极和发射极之间，第二NPN开关管的集电极和第三NPN开关管的基极通过设置的第五电阻接地，且第二NPN开关管的发射极和第三NPN开关管的发射极与第二VEE负电源端电性连接。

进一步地，所述第四电阻为可变电阻。

相比于现有技术，本实用新型的优点在于：