[实用新型]散热片气泡改善装置有效
| 申请号： | 202123072484.5 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN216698301U | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王培娜;周崇铭;陈伟光;刘子辉 | 申请（专利权）人： | 合肥通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 周颖颖 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热片 气泡 改善 装置 | ||
1.一种散热片气泡改善装置，其特征在于，包括机架，所述机架上安装有具有倾斜底面的取标头、第一支撑台、第二支撑台、滚压件以及两个相对设置的用于传送COF卷带的支撑轨道，所述第一支撑台和所述第二支撑台位于两个所述支撑轨道之间，沿着传送方向所述第二支撑台位于所述第一支撑台的前方；
所述取标头位于所述第一支撑台的上方，所述倾斜底面设有多个真空吸附孔，沿着所述传送方向所述倾斜底面的最低端位于所述倾斜底面的最高端的前方；
所述滚压件设置在所述第二支撑台的上方，所述滚压件的滚动轴线沿着两个所述支撑轨道相对的方向延伸。
2.根据权利要求1所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述第一支撑台具有倾斜支撑面，所述第二支撑台具有水平支撑面，所述倾斜底面和所述倾斜支撑面关于水平面的倾斜方向相反。
3.根据权利要求2所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述第一支撑台可转动的连接于所述机架，所述第一支撑台的转动轴线沿着两个所述支撑轨道相对的方向延伸。
4.根据权利要求1-3任一项所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述倾斜底面的最低端与最高端之间的高度差为0.1mm～0.5mm。
5.根据权利要求2或3所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述倾斜支撑面偏离水平面的倾斜角度为0.1°～3°。
6.根据权利要求1所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述滚压件位于所述第二支撑台相对于所述传送方向为前端的端部的上方。
7.根据权利要求1-3、6任一项所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述滚压件为滚轮。
8.根据权利要求1所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述取标头可上下移动；和/或；所述取标头可前后左右移动。
9.根据权利要求1所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述第一支撑台可上下移动。
10.根据权利要求1所述的散热片气泡改善装置，其特征在于，所述第二支撑台可上下移动。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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