[实用新型]一种厌氧环境烤胶机有效

专利信息
申请号: 202123067771.7 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN217342158U 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 康凯;陈旺;康威;覃伯成 申请(专利权)人: 深圳迪道微电子科技有限公司
主分类号: B05D3/02 分类号: B05D3/02;B05D3/04
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 王华
地址: 518000 广东省深圳市坪山区坪*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 环境 烤胶机
【说明书】:

实用新型涉及一种厌氧环境烤胶机,包括烘烤腔,烘烤腔内设置有隔板和托盘,隔板将烘烤腔分成上腔体和下腔体,隔板开设有通孔,通孔形状与托盘一致,大小不小于托盘,托盘下方通过升降杆连接有电缸,烘烤腔接设有氮气管路,氮气管路另一端连接有氮气瓶,下腔体还接设有抽气管路,抽气管路与抽气泵连接,下腔体下方设置有加热板。本实用新型通过设置两层腔体,加热时不会因空间过小对半导体硅片造成提前加热,电缸升降杆控制托盘分隔两层腔体,仅对下层腔体抽真空,避免直接负压抽气造成光刻胶涂层不均匀,减少了氮气用量和供应时间,对两层腔体分别通氮气保护,有效实现烘烤过程的厌氧环境,降低了材料的黄变率。

技术领域

本实用新型涉及一种厌氧环境烤胶机,属于半导体制造技术领域。

背景技术

涂覆光刻胶的半导体硅片需要进行烘烤除去多余的溶剂,现有烤胶机在加热烘烤过程中半导体硅片暴露在空气中,由于光阻内的光引发剂含有苯环,苯环会被氧化成醌,造成黄变,影响半导体硅片的透过率。

不能直接用抽真空加热方式,否则会造成表面破膜和厚薄不均;若选择直接通氮气排出空气,因为烘烤机空间较大,需要较长的通气时间和氮气量,且在此过程中会先涉及到稀释,因此没法全部排除空气;若改小烘烤机空间,则半导体硅片会因为离热板较近而提前加热,影响质量。

因此需要一种能够提供厌氧环境的烤胶机。

实用新型内容

为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种厌氧环境烤胶机,其具体技术方案如下:

一种厌氧环境烤胶机,包括烘烤腔,所述烘烤腔内设置有隔板和托盘,所述隔板将烘烤腔分成上腔体和下腔体,所述隔板开设有通孔,所述通孔形状与托盘一致,大小不小于托盘,所述托盘下方通过升降杆连接有电缸,所述烘烤腔接设有氮气管路,所述氮气管路另一端连接有氮气瓶,所述下腔体还接设有抽气管路,抽气管路与抽气泵连接,所述下腔体下方设置有加热板。

进一步的,所述氮气管路分出上腔体支管和下腔体支管两条支路,所述上腔体支管设置有阀门I,所述下腔体支管设置有阀门II。

进一步的,所述加热板下方设置有加热丝。

进一步的,所述下腔体高度大于上腔体,所述通孔直径大于托盘。

进一步的,所述上腔体顶部设置有提手。

进一步的,所述托盘为轻薄的片状SUS材质。

本实用新型的有益效果是:本实用新型通过设置两层腔体,加热时不会因空间过小对半导体硅片造成提前加热,电缸丝杆升降托盘分隔两层腔体,仅对下层腔体抽真空,避免直接负压抽气造成光刻胶涂层不均匀,有效排出腔体中的空气,减少了氮气用量和供应时间,对两层腔体分别通氮气保护,有效实现烘烤过程的厌氧环境,降低了材料的黄变率。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图,

图2是本实用新型的烘烤部位示意图,

图3是本实用新型的上腔体、下腔体及通孔示意图,

图中:1—烘烤腔,2—上腔体,3—托盘,4—下腔体,5—加热板,6—加热丝,7—抽气管路,8—抽气泵,9—提手,10—升降杆,11—阀门I,12—电缸,13—氮气瓶,14—氮气管路,15—阀门II,16—隔板,17—通孔,18—上腔体支管,19—下腔体支管。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

实施例:

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