[实用新型]CVD设备支撑轴动密封结构及CVD设备有效
| 申请号: | 202123029139.3 | 申请日: | 2021-12-06 | 
| 公开(公告)号: | CN216274359U | 公开(公告)日: | 2022-04-12 | 
| 发明(设计)人: | 宋德鹏;陈占领 | 申请(专利权)人: | 山东力冠微电子装备有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C30B11/00 | 
| 代理公司: | 山东众成清泰律师事务所 37257 | 代理人: | 丁修亭 | 
| 地址: | 250119 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cvd 设备 支撑 密封 结构 | ||
本实用新型公开了一种CVD设备支撑轴动密封结构及CVD设备,其中CVD设备支撑轴动密封结构包括:支架;水冷套,立式地安装在CVD设备的炉门下端;密封部,安装在水冷套的下端,该密封部包括自润滑密封件;其中,密封部用于坩埚支撑轴的导引密封,水冷套的套管用于坩埚支撑轴穿过而进入CVD设备的真空腔室。基于本实用新型的CVD设备支撑轴动密封结构能够有效适应CVD设备工作环境。
技术领域
本实用新型涉及一种CVD设备支撑轴动密封结构,本实用新型还涉及一种该CVD支撑轴动密封结构所应用于的CVD设备,其中CVD为Chemical Vapor Deposition的缩略语,即化学气相沉积。
背景技术
随着新材料产业的大发展,如石墨烯、氮化镓、碳化硅等材料,其在应用端已经十分成熟,可应用于显示、激光投影、照明、电工电子、宇航和航天等领域,但随着科技进步对功能材料及功能部件提出更高的性能要求。同时对材料的结构和合成条件要求更为苛刻,如生长速率、温场分布、真空或气氛环境等材料生长工艺参数。如垂直布里奇曼设备(一种CVD设备)不仅需要预定的高真空环境(前期),同时需要2000℃高温下高纯气体(工艺气体)的低正压(0.6~0.7MPa)环境(作业状态),诸如此类条件的生长设备会不断增多,但可以实现的成熟设计方案相对较少,远远落后于相关工艺的发展,因此,对于生长设备需要不断的创新和开发。
目前,例如前文提到的垂直布里奇曼设备,其所配安瓿(一种石墨坩埚,区别于医用安瓿)支撑轴有既能升降又能绕自身轴线旋转的要求,且反应腔室需要先抽到预定的高真空环境然后再将高纯工艺气体充到反应腔室使其达到低正压(0.6~0.7MPa),同时安瓿需要达到2000℃的高温。如何实现安瓿支撑轴的升降和旋转运动且能够支撑低正压环境,针对该情况,使用较为常见的磁流体等无法实现,业内目前尚无找到有效解决措施。
发明内容
有鉴于在,在本实用新型的实施例中,提供了一种能够有效适应CVD设备工作环境的CVD设备支撑轴动密封结构,在本实用新型的实施例中,还提供了一种配有该CVD设备支撑轴动密封结构的CVD设备。
在本实用新型的实施例中,第一个方面提供了一种CVD设备支撑轴动密封结构,包括:
支架;
水冷套,立式地安装在CVD设备的炉门下端;
密封部,安装在水冷套的下端,该密封部包括自润滑密封件;
其中,密封部用于坩埚支撑轴的导引密封,水冷套的套管用于坩埚支撑轴穿过而进入CVD设备的真空腔室。
可选地,所述自润滑密封件为聚四氟乙烯或改性聚四氟乙烯密封件。
可选地,所述自润滑密封件包括用于与水冷套连接的骨架,以及装设在骨架上的由聚四氟乙烯或改性聚四氟乙烯构造的密封环,而形成骨架轴封。
可选地,所述密封部为复合密封部,该复合密封部还进一步包括迷宫密封部;
迷宫密封部位于自润滑密封件的上侧。
可选地,迷宫密封部或者自润滑密封件各自为单级或两级密封。
基于本实用新型的第二个方面,提供了一种CVD设备,该CVD设备包括第一个方面的CVD设备支撑轴动密封结构;所述CVD设备还包括:
真空腔室,安装在所述支架上,下端与所述密封部连接;
坩埚,位于真空腔室内,承持在所述坩埚支撑轴的上端;
工作气配气系统,配装于所述真空腔室;
抽真空设备,配装于所述真空腔室;
旋转机构,输出连接所述坩埚支撑轴,以驱动坩埚支撑轴旋转;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





