[实用新型]一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉

权利要求书

1.一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，在单晶炉的炉体内配设有用于监控已拉出硅单晶等径段的温度梯度的测温装置以及用于调控所述等径段温度梯度的调控装置，所述测温装置和所述调控装置均固设于所述炉体内侧，且所述调控装置绕设于所述等径段的外径设置。

2.根据权利要求1所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，所述测温装置包括沿所述硅单晶等径段高度设置的测温仪一、测温仪二和测温仪三，所述测温仪一、所述测温仪二和所述测温仪三用于测量所述硅单晶等径段不同位置高度的温度。

3.根据权利要求2所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，所述测温仪一位于所述单晶炉的主室内；

所述测温仪二和所述测温仪三均位于所述单晶炉的副室内；

且所述测温仪二位于所述测温仪三的下方。

4.根据权利要求2或3所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，所述测温仪一的位置至固液界面的高度为500-600mm。

5.根据权利要求4所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，所述测温仪二的位置至固液界面的高度为700-900mm；

所述测温仪三的位置至固液界面的高度为800-1000mm。

6.根据权利要求2-3、5任一项所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，所述调控装置包括调控件一和调控件二，所述调控件一和所述调控件二的结构相同，均包括加热部和冷却部，所述加热部和所述冷却部为独立设置或互通设置。

7.根据权利要求6所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，当所述加热部和所述冷却部独立设置时，

所述加热部和所述冷却部径向叠放设置，且所述加热部内置于所述冷却部；或者，所述加热部和所述冷却部轴向叠放设置，且所述加热部分设于所述冷却部的上下两端；

或者，所述加热部与所述冷却部轴向错位设置，且所述加热部与所述冷却部间隔交叉设置。

8.根据权利要求6所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，当所述加热部和所述冷却部互通设置时，所述加热部和所述冷却部共用于同一个管道。

9.根据权利要求7或8所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，所述调控件一被设于所述测温仪一和所述测温仪二之间，且位于所述单晶炉的主室中靠近脖腔一侧。

10.根据权利要求9所述的一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，其特征在于，所述调控件二被设于所述测温仪二和所述测温仪三之间。