[实用新型]一种开有倾斜槽的石英舟结构

说明书

本申请公开了一种开有倾斜槽的石英舟结构，所述石英舟包括支撑架体，所述支撑架体底部两侧设置有支撑柱，所述支撑架体包括沿水平方向设置的底座，所述底座用于承载晶片；所述底座的两侧分别设有一个与所述底座呈一定夹角的架壁；两个所述架壁相对于所述底座对称设置，两个所述架壁的上部分别设置有一个沿水平方向的上槽棒，所述上槽棒的侧面开设有上放置槽，所述上放置槽由若干倾斜的斜槽组成；所述底座下部设置有两个相对设置的下槽棒；所述下槽棒的上方开设有若干突起物，所述突起物由倾斜面和位于所述倾斜面顶部的帽檐组成。本申请通过将竖直放置槽改成倾斜放置槽，而且增加了帽檐凸起，不会与晶片薄膜面接触，提高薄膜晶片的成品良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种开有倾斜槽的石英舟结构。

背景技术

石英舟广泛应用于微电子产业集成电路芯片制造业。石英舟是集成电路芯片生产线常采用的晶片载体，一般用于离子注入、LPCVD(Low Pressure Chemical VaporDeposition，低压化学蒸发沉积)等重要工序。

现有技术大部分是将石英舟设计成垂直放置晶片的结构，虽然可以在一定程度上减少晶片与插槽的接触面积，但是生产加工时晶片垂直放于石英舟内，晶片的薄膜面容易与插槽接触，使得晶片该处的气流受阻，影响边缘淀积厚度，还会使得薄膜出现粘周和卡痕等缺陷问题。

实用新型内容

本申请提供的一种开有倾斜槽的石英舟结构，以解决在生产加工时，晶片垂直放于石英舟内，晶片的薄膜面容易与插槽接触，使得晶片该处的气流受阻，影响边缘淀积厚度，还会使得薄膜出现粘周和卡痕等问题。

所述石英舟包括支撑架体，所述支撑架体底部两侧设置有支撑柱，所述支撑架体包括沿水平方向设置的底座，所述底座用于承载晶片。

所述底座的两侧分别设有一个与所述底座呈一定夹角的架壁；两个所述架壁相对于所述底座对称设置，两个所述架壁的上部分别设置有一个沿水平方向的上槽棒，所述上槽棒的侧面开设有上放置槽，所述上放置槽由若干倾斜的斜槽组成。

所述底座下部设置有两个相对设置的下槽棒；所述下槽棒的上方开设有若干突起物，所述突起物由倾斜面和位于所述倾斜面顶部的帽檐组成。

进一步地，所述倾斜面与水平面之间形成的夹角a为60°至85°。

进一步地，所述帽檐呈凸起状或者垂直状。

进一步地，所述下槽棒上任意相邻两个所述突起物的倾斜角度一致。

进一步地，所述突起物的倾斜角度与所述斜槽的倾斜角度一致。

进一步地，所述晶片的厚度为0.5mm。

进一步地，所述下槽棒之间的距离小于所述上槽棒之间的距离。

进一步地，所述支撑柱为长条圆柱形状。

进一步地，所述斜槽和所述帽檐的深度为1.1-2.3mm。

本申请提供的一种开有倾斜槽的石英舟结构采用将竖直放置槽改成倾斜放置槽，而且增加了帽檐凸起，帽檐凸起与晶片的薄膜面不接触且薄膜面的最低端与帽檐凸起的末端边沿在一条竖直平面上；在LPCVD沉积工艺中，沉积气体不会因为帽檐凸起而被阻挡，依然可以对薄膜面的边缘实现沉积，帽檐凸起的另一个作用是不会使沉积气体沉积落入帽檐凸起以下的区域。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的一种开有倾斜槽的石英舟结构示意图；

图2为本申请提供的一种开有倾斜槽的石英舟结构中斜槽和突起物的结构示意图；