[实用新型]一种断裂硅芯的连接结构

说明书

本实用新型公开了一种断裂硅芯的连接结构，属于多晶硅制造技术领域，所述连接结构包括依次连接的第一断裂硅芯(1)、中间连接硅芯(2)和第二断裂硅芯(3)，所述第一断裂硅芯(1)的一端设有第一凹槽(11)，所述第二断裂硅芯(3)的一端设有第二凹槽(31)；所述中间连接硅芯(2)包括连接主体(21)以及从所述连接主体(21)的两端延伸出的连接部(22)，所述连接部(22)的宽度大于所述连接主体(21)的宽度，所述第一凹槽(11)和第二凹槽(31)均为与所述连接部(22)适配的结构。本实用新型可以将多晶硅生产过程中的断裂硅芯进行稳固连接，极大地减少了硅芯的浪费，提升还原炉的生产产量，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅制造技术领域，尤其涉及一种断裂硅芯的连接结构。

背景技术

改良西门子法是多晶硅主要的生产工艺，主要是硅芯在密闭还原炉中发生还原反应生成多晶硅。装炉前在还原炉内用硅芯搭接成若干个闭合回路，每个闭合回路由两竖直插在底座电极上的硅芯和横硅芯组成，通电加热时，硅芯与还原炉内的三氯氢硅和氢气发生还原反应，生产出的多晶硅在硅芯表面沉积。

该方法中，组成闭合回路的硅芯都是由原生多晶硅棒通过切割为特定的长度，否则无法装载于还原炉中。使用原生多晶硅棒切割获得硅芯时，在应力、刀具、卡具等诸多因素的影响下，部分硅芯会发生断裂，长度达不到装载于还原炉中要求，增加了多晶硅的生产成本。

在现有技术CN201520603522.0公开的一种多晶硅断裂硅芯的连接结构中，通过锥形孔的形式将两个断裂的硅芯连接，由于该结构内窄外宽，连接的硅芯不稳固，容易脱落。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中断裂硅芯连接存在的问题，提供了一种断裂硅芯的连接结构。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

主要提供一种断裂硅芯的连接结构，所述连接结构包括依次连接的第一断裂硅芯、中间连接硅芯和第二断裂硅芯，所述第一断裂硅芯的一端设有第一凹槽，所述第二断裂硅芯的一端设有第二凹槽；

所述中间连接硅芯包括连接主体以及从所述连接主体的两端延伸出的连接部，所述连接部的宽度大于所述连接主体的宽度，所述第一凹槽和第二凹槽均为与所述连接部适配的结构。

作为一选项，一种断裂硅芯的连接结构，所述中间连接硅芯为插销结构，所述连接主体为长方体，所述连接部为圆柱体，所述连接主体的高度等于所述圆柱体的高度，所述圆柱体的直径大于所述连接主体的宽度。

作为一选项，一种断裂硅芯的连接结构，所述第一凹槽包括第一圆柱孔和沿着第一断裂硅芯侧边平行方向打通的第一矩形槽，所述第二凹槽包括第二圆柱孔和沿着第二断裂硅芯侧边平行方向打通的第二矩形槽，所述第一圆柱孔、第二圆柱孔分别与对应的所述圆柱体连接。

作为一选项，一种断裂硅芯的连接结构，所述第一圆柱孔的深度为所述第一断裂硅芯高度的一半，所述第二圆柱孔的深度为所述第二断裂硅芯高度的一半。

作为一选项，一种断裂硅芯的连接结构，所述第一矩形槽的深度等于所述第一圆柱孔的深度，所述第二矩形槽的深度等于所述第二圆柱孔的深度。

作为一选项，一种断裂硅芯的连接结构，所述第一矩形槽的宽度等于所述连接主体的宽度。

作为一选项，一种断裂硅芯的连接结构，所述中间连接硅芯为ㄇ形插销结构，所述中间连接硅芯的两端垂直向下延伸出所述连接部；所述第一凹槽为垂直设在所述第一断裂硅芯中的第一孔槽，所述第二凹槽为垂直设在所述第二断裂硅芯中的第二孔槽。

作为一选项，一种断裂硅芯的连接结构，所述连接主体的长度等于所述第一孔槽与所述第二凹槽之间的距离。

作为一选项，一种断裂硅芯的连接结构，所述第一孔槽和第二凹槽均为贯穿孔。