[实用新型]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，所述半导体电路包括：

高压集成电路和开关管；所述高压集成电路包括驱动电路、过流保护电路和故障逻辑控制电路，所述驱动电路连接于所述开关管；

所述过流保护电路包括有比较器、编码器、多个开关组件和多路电源电容，所述比较器的正极输入端连接至过流检测信号输入端，各路所述电源电容的正极通过所述开关组件连接至所述比较器的负极输入端，所述编码器具有和各路所述电源电容对应的输出控制端，各路所述输出控制端连接至各个所述开关组件，所述比较器的输出端连接至所述故障逻辑控制电路；其中，至少两路所述电源电容的电压不同。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述驱动电路包括高压侧驱动电路和低压侧驱动电路，所述高压侧驱动电路和低压侧驱动电路连接。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述高压侧驱动电路包括三路相同的高压驱动单元，每路所述高压驱动单元包括上桥臂信号输入端、两路高压侧供电端和高压侧控制输出端；其中，所述上桥臂信号输入端用于接收外围主控板输出的上桥臂PWM控制信号，所述两路高压侧供电端分别用于输入一相上下桥臂开关管对应的两路控制信号，所述高压侧控制输出端用于输出一路驱动一相上桥臂开关管的驱动信号。

4.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述高压驱动单元包括第一斯密特触发器、第一滤波电路、第一电位位移电路、第一死区互锁单元、脉冲生成电路、DV/DT滤波器电路、锁存器、或非逻辑门、UV滤波电路、第一MOS管、第二MOS管、第一限流电阻器、第二限流电阻器和第一输出驱动电路；

其中，所述第一斯密特触发器的输入端为所述上桥臂信号输入端，所述第一斯密特触发器的输出端与第一滤波电路的输入端连接；所述第一滤波电路的输出端与所述第一电位位移电路的输入端连接；所述第一电位位移电路的输出端与所述第一死区互锁单元的输入端连接；所述第一死区互锁单元的输出端与所述脉冲生成电路的输入端连接；所述脉冲生成电路的输出端与所述第一MOS管、所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管、所述第二MOS管的漏极与所述DV/DT滤波器电路的输入端连接，所述第一MOS管的漏极通过所述第一限流电阻器连接至所述高压侧供电端的正极端，所述第二MOS管的漏极通过所述第二限流电阻器连接至所述高压侧供电端的正极端；所述DV/DT滤波器电路的输出端与所述锁存器的第一输入端连接，所述UV滤波电路的输出端与所述锁存器的第二输入端连接；所述DV/DT滤波器电路的输出端与所述或非逻辑门的第一输入端连接，所述锁存器的输出端与所述或非逻辑门的第二输入端连接；所述或非逻辑门的输出端连接至所述第一输出驱动电路的输入端。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述第一输出驱动电路包括：

第三MOS管和第四MOS管；

所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极共接于所述第一输出驱动电路的输入端，所述第三MOS管的漏极连接所述高压侧供电端的正极端，所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的漏极共接于所述第一输出驱动电路的输出端，所述第四MOS管的源极连接于所述高压侧供电端的负极端。

6.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述低压侧驱动电路包括三路相同的低压驱动单元，每路所述低压驱动单元包括下桥臂信号输入端、低压侧供电端、低电压参考端和低压侧控制输出端；其中，所述下桥臂信号输入端用于接收外围主控板输出的下桥臂PWM控制信号，所述低压侧控制输出端用于输出一路驱动一相下桥臂开关管的驱动信号。