[实用新型]一种大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构有效
| 申请号： | 202122916625.0 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN216413056U | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 左乔峰;谢凌琰;徐竹煊;万海强 | 申请（专利权）人： | 江苏省宜兴电子器件总厂有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/49 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 214200 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 散热片 一体化 芯片 陶瓷封装 结构 | ||
1.一种大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构，其特征在于，包括带芯腔（2）的陶瓷外壳基座（1），以及由钨铜或钼铜制备的大电流地散热片（6）；所述大电流地散热片（6）包括上表面的芯片粘接区（6-1），所述芯片粘接区（6-1）边上的至少一个凸台，所述凸台作为键合区（6-2），以及所述芯片粘接区（6-1）四周的钎焊区（6-3）；芯片（3）设置在所述芯片粘接区（6-1）上，所述芯片（3）的接地引脚通过键合丝（4）连接到所述键合区（6-2）；所述大电流地散热片（6）焊接在所述陶瓷外壳基座（1）的底部，所述芯片（3）位于所述陶瓷外壳基座（1）的芯腔（2）内；在所述陶瓷外壳基座（1）的顶部还焊接有盖板（5）。
2.根据权利要求1所述的大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构，其特征在于，所述芯片粘接区（6-1）是在所述大电流地散热片（6）中央的一个凸台区域，所述键合区（6-2）的水平高度大于所述芯片粘接区（6-1）的水平高度。
3.根据权利要求1所述的大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构，其特征在于，所述陶瓷外壳基座（1）的材质为氧化铝陶瓷。
4.根据权利要求1所述的大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构，其特征在于，所述钎焊区（6-3）与陶瓷外壳基座（1）采用Ag72Cu28焊料连接。
5.根据权利要求1所述的大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构，其特征在于，所述盖板（5）与陶瓷外壳基座（1）采用金锡合金焊料连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏省宜兴电子器件总厂有限公司，未经江苏省宜兴电子器件总厂有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122916625.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
