[实用新型]半导体器件的跳线连接结构

说明书

本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元设置为多个，且阵列排布于所述框架本体上，所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。本实用新型可在半导体器件封装时实现双面散热，增大散热面积，增强散热效果，还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，特别是涉及一种半导体器件的跳线连接结构。

背景技术

随着半导体行业的发展，以及电子封装技术的不断进步，传统封装工艺所采用的技术手段已不满足当前社会所需要达到的高散热，低能耗，低电阻的标准。电子半导体的不断进步，也在不断促进封装工艺的发展，因此各个工艺阶段也将随之做出不同程度的优化，以期达到更高的标准。

传统封装工艺在wire bonding(引线键合)阶段大多采用Cu wire(铜线)、Al wire(铝线)或者Au wire(金属丝)，使用以上材料首先会导致导通电阻增大，因为在使用过程中为了满足产品需求将不可避免的增加焊线数量或者使用线径更大的材料，从而导致内部电阻增大；其次，在产品使用时会导致产热较多，且散热效果较差，从而影响产品可靠性，减少产品的使用寿命；最后，在封装集成度越来越高，且封装体积越来越小的趋势下，会在焊接时存在焊线弧高的影响，从而影响封装体积。

基于此，需设计Copper Clip(铜跳线)工艺，采用铜跳线结构连接MOSFET器件的Source(源极)与框架，可获得更好的导通电阻以及更好的散热效果。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体器件的跳线连接结构，用于解决现有技术中半导体器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构，包括：

框架本体；

跳线单元，设置为多个，且阵列排布于所述框架本体上，所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。

可选地，所述框架本体的边缘处沿长度方向设置有多个用于框架本体定位的定位孔，沿框架本体宽度方向每两个定位孔对应于一列跳线单元；沿框架本体长度方向的相邻跳线单元之间设置有用于在框架本体进料时定位和带动框架本体的折弯孔，每个所述跳线单元通过连接筋连接于框架本体上。

可选地，所述跳线单元呈扁平长方体状，且所述跳线单元在各处的厚度相等。

可选地，所述第一凸台和第二凸台的结构和尺寸相同，所述第一凸台和第二凸台之间具有间隙。

可选地，所述第一凸台和第二凸台的侧壁与顶壁倾斜设置，且从所述顶壁向底壁的面积逐渐增大。

可选地，所述第一凸台和第二凸台的边缘圆滑过渡。

可选地，所述第一凸台和第二凸台之间开设有排气孔，所述排气孔为条形孔，且四周边缘圆滑过渡。

可选地，所述跳线单元远离第一凸台和第二凸台的一端沿横向设置有用于防止溢料的防溢槽，所述防溢槽的槽壁相对于槽底倾斜设置。

可选地，所述跳线单元远离第一凸台和第二凸台的一端还设置有锁胶孔，且所述防溢槽位于第二凸台和锁胶孔之间。

可选地，所述锁胶孔呈半圆形，且所述锁胶孔沿跳线单元的横向均布为两个。

如上所述，本实用新型具有以下有益效果：

通过所述半导体器件的跳线连接结构，可在半导体器件封装时，实现双面散热，增大散热面积，增强散热效果；还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的整体结构示意图；