[实用新型]充电器同步整流电路有效
申请号: | 202122860311.3 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN216490258U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 刘智君;陈献晓 | 申请(专利权)人: | 嘉兴索罗威新能源有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M1/08;H02J7/02 |
代理公司: | 嘉兴华申知识产权代理事务所(普通合伙) 33454 | 代理人: | 沈东宁 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 充电器 同步 整流 电路 | ||
本实用新型公开了充电器同步整流电路,涉及同步整流电路技术领域,包括同步整流驱动控制器U202,所述驱动控制器U202的型号采用SRK2001;所述驱动控制器U202的SVS1端口电性连接于MOS管U420的基极;所述驱动控制器U202的SVS2端口电性连接于MOS管U419的基极;本实用提供充电器同步整流电路,通过采用型号SRK2001的驱动控制器U202,相较于传统的同步整流技术,SRK2001采用精密的真正零关断比较器,可设置最小的导通和关断时间,其自同步、极短关断延迟时间、强大的驱动能力、自适应门极驱动等特性可将整流损耗降至最低,使其在任何负载条件下都能保持最高能效。用于开关电源充电器设计中以实现更高能效。
技术领域
本实用新型涉及同步整流电路技术领域,具体为充电器同步整流电路。
背景技术
同步整流旨在通过用低导通电阻的MOSFET代替常规的肖特基二极管进行整流来减小损耗,提升能效;以12V应用为例,使用肖特基二极管整流将产生0.7V的导通压降,传统的技术损耗高效率低,而同步MOSFET的导通压降低于0.1V,从而实现更高能效。SRK2001是高性能的次级同步整流驱动控制器,能有效地控制和驱动用作次级端整流的MOSFET,我们利用这个驱动控制器用于充电器当中,以提高产品的可靠性同时实现更高效效率更高。
当前市场上的同步整流控制器存在部分局限性:(1)功能单一,应用场合有限:只适用于某一拓扑而不涵盖大多数拓扑,如只适用于反激(Flyback)或LLC而不适用于正激(Forward);只适用于某一工作模式而不涵盖大多数模式,如只适用于非连续导通模式(DCM)、准谐振(QR),而不适用于连续导通模式(CCM);(2)由于延迟导通和提前关断整流管的时间过长,且导通和关断门限无法编辑,因而无法最大限度提升能效,因此我们需要提出充电器同步整流电路。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供充电器同步整流电路,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
充电器同步整流电路,包括同步整流驱动控制器U202,所述驱动控制器U202的型号采用SRK2001;所述驱动控制器U202的SVS1端口电性连接于MOS管U420的基极;所述驱动控制器U202的SVS2端口电性连接于MOS管U419的基极;
所述驱动控制器U202的DVS1端口通过电阻R273电性连接于MOS管U420的集电极,所述驱动控制器U202的DVS2端口通过电阻R281电性连接于MOS管U419的集电极;所述驱动控制器U202的GD1接口通过并联的电阻R275与电阻R276电性连接于MOS管U420的发射极,所述驱动控制器U202的GD2接口通过并联的电阻R278与电阻R29电性连接于MOS管U419的发射极。
优选的,所述驱动控制器U202还包括VCC端口、EN端口、GND端口与PROG端口;GND端口通过电容C310与电容C215电性连接于13.5V的供电端,所述GND端口直接电性连接于13.5V的供电端。
优选的,所述驱动控制器U202的SVS1端口与MOS管U420的发射极之间电性连接有电阻R274,所述驱动控制器U202的SVS2端口与MOS管U419的发射极之间电性连接有电阻R280。
优选的,所述电阻R276靠近GD1接口的一端还电性连接有二极管D875,所述电阻R278靠近GD2接口的一端还电性连接有二极管D876。
优选的,所述MOS管U420与MOS管U419的基极均电性连接于GND3端口。
优选的,所述MOS管U420与MOS管U419的集电极连接于电容C400与电容C217,所述电容C400与电容C217连接于14V的供电端。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
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