[实用新型]一种半导体驱动HVIC

说明书

本实用新型涉及电子电路技术领域，具体公开了一种半导体驱动HVIC，包括电源电路、保护电路、报错电路、高侧驱动电路、互锁电路、低侧驱动电路及使能电路，所述保护电路分别与电源电路及报错电路电性连接，所述互锁电路分别与所述高侧驱动电路及低侧驱动电路电性连接，所述使能电路分别与高侧驱动电路、保护电路、报错电路及低侧驱动电路电性连接。本实用新型通过使能电路中的使能引脚EN1选择控制高侧驱动电路中的脉冲电路输出脉冲信号，进而控制高压DMOS管的开通和关断，以提高该半导体驱动HVIC的应用性及其可靠性。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别涉及一种半导体驱动HVIC。

背景技术

HVIC，即高压集成驱动IC，是利用单片机的输入信号直接驱动功率MOSFET和IGBT门极的耐高压IC，可以替代常见的脉冲变压器和光耦。通过电平整流器电路，在半导体芯片内部实现电介质绝缘。内置各种保护功能(电源电压过低保护、互锁功能、输入信号过滤功能、错误输出功能等)可以提高设备的可靠性。HVIC广泛应用于通用逆变器、交流伺服电机、直流无刷电机、荧光灯和HID照明、LED照明、IH烹调加热器、空调、洗衣机和各种IPM模块。

目前的高压集成驱动HVIC,内部低压区与高压区的过渡是用CMOS传导“脉冲发生电路(PULSE GEN)”的脉冲，控制高压DMOS导通关断来实现，HVIC中，PLUSE GEN信号有ONESHOT电路(产生一个脉冲)和DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)两种方案。HVIC中一般都采用ONESHOT电路(产生一个脉冲)或DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)来控制高压DMOS开通和判断。当HVIC内部采用ONESHOT电路(产生一个脉冲)驱动DMOS开通和关断，在某些工况下，VS从负恢复的时间较长，这个pluse信号可能被淹没，导致HIN与HOUT不同步，影响HVIC正常工作，严重时可能会出炸机。在这种情况下，我们可以选用DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)来驱动高压DMOS开通和关断。然而当HVIC内部采用DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)来控制高压DMOS开通和关断，但一般使用的场合，用ONESHOT电路就足够了，在没有特殊情况下，一直用DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)会增加HVIC功耗。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种半导体驱动HVIC，通过使能电路中的使能引脚EN1选择控制高侧驱动电路中的脉冲电路输出脉冲信号，进而控制高压DMOS管的开通和关断，以提高该半导体驱动HVIC的应用性及其可靠性。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种半导体驱动HVIC，包括电源电路、保护电路、报错电路、高侧驱动电路、互锁电路、低侧驱动电路及使能电路，所述保护电路分别与电源电路及报错电路电性连接，所述互锁电路分别与所述高侧驱动电路及低侧驱动电路电性连接，所述使能电路分别与高侧驱动电路、保护电路、报错电路及低侧驱动电路电性连接。

优选地，所述高侧驱动电路包括自举电路、高侧欠压保护电路及脉冲电路，所述脉冲电路分别与所述使能电路、自举电路、高侧欠压保护电路及互锁电路电性连接。

优选地，所述半导体驱动HVIC还包括信号输入电路、低压-高压过渡电路、低压保护电路、误动作防止电路及信号输出电路，所述互锁电路分别与信号输入电路及脉冲电路电性连接，所述低压-高压过渡电路及信号输出电路均分别与所述脉冲电路、低压保护电路及误动作防止电路电性连接。

优选地，所述脉冲电路包括脉冲选择电路及脉冲发生电路，所述脉冲选择电路由两个三与门、一个非门及两个两或门组成，所述脉冲发生电路由一个ONESHOT脉冲电路及一个DOUBLE PLUSE脉冲电路组成。

优选地，所述ONESHOT脉冲电路及DOUBLE PLUSE脉冲电路均分别与所述三与门及两或门连接，所述非门与所述三与门连接。