[实用新型]一种二次侧带有源倍压器的全桥LLC变换器

权利要求书

1.一种二次侧带有源倍压器的全桥LLC变换器，其特征是：它包括直流输入电源V_th、输出电源V₀、滤波电阻R_th、磁化电感L_m、谐振电感L_r、滤波电容C_in、谐振电容C₁、C₂、C₃、MOSFETQ1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6模块和与之对应的反并联二极管以及电容、变压器；所述的电源V₀、MOSFET Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6模块和与之对应的反并联二极管以及电容、变压器、谐振电容C₁、C₂、C₃构成全桥LLC变换器模块；所述的谐振电容C₁、C₂、MOSFET Q5和MOSFET Q6构成倍压器模块；所述的滤波电阻R_th和滤波电容C_in构成降低电路纹波和消除谐波模块；所述的磁化电感L_m和变压器构成提供磁化电流续流并可充当电源模块；所述的电源V₀与降低电路纹波和消除谐波模块连接；所述的降低电路纹波和消除谐波模块与全桥LLC变换器模块的一次侧连接；所述的全桥LLC变换器模块二次侧左侧与提供磁化电流续流并可充当电源模块连接；所述的全桥LLC变换器模块的二次侧右侧与倍压器模块连接。

2.根据权利要求1所述的一种二次侧带有源倍压器的全桥LLC变换器，其特征在于所述的全桥LLC变换器模块由直流电源V_th正极与MOSFET Q1的漏极串联；所述的MOSFET Q1与电容并联并与二极管反并联连接在一起；所述的MOSFET Q2同样与电容并联并与二极管反并联连接在一起；所述的MOSFET Q1的源极与MOSFET Q2的漏极连接在一起并形成并联支路；所述的MOSFET Q3同样与电容并联并与二极管反并联连接在一起；所述的MOSFET Q4同样与电容并联并与二极管反并联连接在一起；所述的MOSFET Q3的源极与MOSFET Q4的漏极连接在一起并形成并联支路；所述的变压器一次侧上端连接在MOSFET Q1的源极和MOSFET Q2的漏极之间；所述的变压器一次侧下端连接在MOSFET Q3的源极和MOSFET Q4的漏极之间；所述的谐振电感L_r串联在变压器二次侧上端；所述的变压器二次侧上端连接在MOSFET Q5的源极和MOSFET Q6的漏极之间；所述的变压器二次侧下端连接在电容C₁和电容C₂之间；所述的MOSFET Q5与电容并联并与二极管反并联连接在一起；所述的MOSFET Q6与电容并联并与二极管反并联连接在一起；所述的电容C₃两端分别连在MOSFET Q5的漏极和MOSFET Q6的源级；所述的输出电源V₀并联在电容C₃两端。

3.根据权利要求1所述的一种二次侧带有源倍压器的全桥LLC变换器，其特征在于所述的倍压器模块由电容C₁与电容C₂串联后并联在MOSFET Q5和MOSFET Q6的串联支路上。

4.根据权利要求1所述的一种二次侧带有源倍压器的全桥LLC变换器，其特征在于所述的降低电路纹波和消除谐波模块由直流电源V_th与滤波电阻R_th串联；所述的滤波电容C_in与电源和电阻的串联支路并联。

5.根据权利要求1所述的一种二次侧带有源倍压器的全桥LLC变换器，其特征在于所述的提供磁化电流续流并可充当电源模块由所述的磁化电感L_m并联在变压器二次侧。