[实用新型]保护装置有效
| 申请号: | 202122812592.5 | 申请日: | 2021-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN216213255U | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 辛笛 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 保护装置 | ||
1.一种设置于等离子体切割设备内的保护装置,所述等离子体切割设备用于切割晶圆,所述晶圆通过粘合层粘合于载体上形成晶圆组件,所述晶圆组件放置于所述切割设备内,其特征在于,所述保护装置包括:
屏蔽部,所述屏蔽部呈环形结构,所述屏蔽部在内环边缘处与所述晶圆的边缘相接触,并覆盖所述晶圆的边缘以及所述载体的边缘;以及
支撑部,所述屏蔽部在外环边缘处与所述支撑部相连接。
2.如权利要求1所述的保护装置,其特征在于,所述屏蔽部在内环边缘处凹陷形成台阶状结构,所述台阶状结构包含第一台阶与第二台阶,所述第一台阶与所述晶圆的边缘相接触且覆盖所述晶圆的边缘区域,所述第二台阶与所述粘合层的边缘相接触且覆盖所述粘合层的边缘区域。
3.如权利要求2所述的保护装置,其特征在于,所述第一台阶的高度大于等于所需覆盖的所述晶圆边缘的宽度,所述第一台阶的长度大于等于所述晶圆的厚度。
4.如权利要求2所述的保护装置,其特征在于,所述第二台阶的高度大于等于未被所述晶圆覆盖的所述粘合层的宽度,所述第二台阶的长度大于等于所述粘合层的高度。
5.如权利要求1所述的保护装置,其特征在于,所述支撑部至少有2个,所述支撑部均匀分布于所述屏蔽部的外环边缘。
6.如权利要求5所述的保护装置,其特征在于,所述支撑部的横截面呈三角形、半圆形或梯形。
7.如权利要求1所述的保护装置,其特征在于,所述保护装置还包括气缸以及与所述气缸相连接的升降部,所述升降部设置于所述支撑部的底部。
8.如权利要求7所述的保护装置,其特征在于,所述支撑部的底部设置有凹槽,所述升降部还包含顶针,所述顶针的顶部位于所述凹槽内以升高或降低所述支撑部。
9.如权利要求1~8任一项所述的保护装置,其特征在于,所述屏蔽部为陶瓷屏蔽部,所述支撑部为陶瓷支撑部。
10.如权利要求2-4任一项所述的保护装置,其特征在于,所述台阶状结构包含第三台阶,所述第三台阶与所述载体被暴露出的边缘嵌合。
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