[实用新型]一种掺钙氧化铟薄膜晶体管及由其制成的乙醇传感器有效
| 申请号： | 202122811805.2 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN216250742U | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 朱博文;赵沫沫;任慧慧 | 申请（专利权）人： | 西湖大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;G01N27/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜晶体管 制成 乙醇 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺钙氧化铟薄膜晶体管，其特征在于，从下往上该薄膜晶体管依次包括：
硅衬底；
沉积在所述硅衬底上的介电层；
沉积在介电层上的图形化的掺钙氧化铟半导体层；沉积在所述掺钙氧化铟半导体层上的源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的掺钙氧化铟薄膜晶体管，其特征在于，所述介电层的厚度为100-150nm，所述图形化的掺钙氧化铟半导体层的厚度小于10nm。
3.根据权利要求1所述的掺钙氧化铟薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极均为铝材料制成的电极，其厚度为50-60nm。
4.一种由权利要求1所述的掺钙氧化铟薄膜晶体管制成的乙醇传感器，其特征在于，所述乙醇传感器还包括用于装待测乙醇的微流控腔体，且所述源极和漏极均为叉指状的电极；
所述微流控腔体位于所述介电层上，且内部开设有凹槽，所述凹槽包围掺钙氧化铟半导体层、介电层的局部和源极、漏极的叉指部分。
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