[实用新型]一种多电压域开关控制电路有效
申请号: | 202122776857.0 | 申请日: | 2021-11-12 |
公开(公告)号: | CN216565100U | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 许延华;陈艳;孟颖;白俊峰 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K19/0185 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 开关 控制电路 | ||
1.一种多电压域开关控制电路,其特征在于,包括MOS开关管M1、MOS开关管M2、MOS开关管M3、控制电路U1、控制电路U2、控制电路U3,其中:
所述MOS开关管M1:MOS开关管M1的源极和衬底接芯片引脚输入输出信号TP,MOS开关管M1的栅极接控制电路U1的输出信号N1,MOS开关管M1的漏极接MOS开关管M2的漏极;
所述MOS开关管M2:MOS开关管M2的源极和衬底接芯片内部高电压输入输出信号HVIN,MOS开关管M2的栅极接控制电路U2的输出信号N2,MOS开关管M2的漏极接MOS开关管M1的漏极;
所述MOS开关管M3:MOS开关管M3的源极接芯片引脚输入输出信号TP,MOS开关管M3的衬底接地,MOS开关管M3的栅极接控制电路U3的输出信号N3,MOS开关管M3的漏极芯片内部低电压输入输出信号LVIN;
所述控制电路U1:输入端接控制信号CTRL_IN1,输出端N1与MOS开关管M1的栅极连接,电源端接芯片引脚输入输出信号TP;
所述控制电路U2:输入端接控制信号CTRL_IN2,输出端N2与MOS开关管M2的栅极连接,电源端接芯片内部高电压输入输出信号HVIN;
所述控制电路U3:输入端接控制信号CTRL_IN3,输出端N3与MOS开关管M3的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的一种多电压域开关控制电路,其特征在于,所述控制电路U1,由晶体管NM1、晶体管NM2、晶体管NM3、晶体管NM4、晶体管PM1、晶体管PM2、晶体管PM3、晶体管PM4、晶体管PM5、晶体管PM6组成,输入控制信号为CTRL_IN,输出信号为OUT,电源信号为VDD,另一个电源为1.5V电源VDD15,;晶体管NM1、晶体管NM3、晶体管PM1、晶体管PM3、晶体管PM5构成一条低电流通路,为晶体管PM2提供一个偏置电压;此条通路的具体连接关系为:晶体管NM1的源极和衬底接地,晶体管NM1的栅极和漏极接晶体管NM3的源极和衬底;晶体管NM3的源极和衬底接晶体管NM1的漏极和栅极,晶体管NM3的栅极接1.5V电源VDD15,晶体管NM3漏极接晶体管PM5的栅极和漏极;晶体管PM5的漏极和栅极接晶体管NM3的漏极,晶体管PM5的源极和衬底接晶体管PM3的栅极和漏极;晶体管PM3的漏极和栅极接晶体管PM5的源极和衬底,晶体管PM3的源极和衬底接晶体管PM1的栅极和漏极;晶体管PM1的漏极和栅极接晶体管PM3的源极和衬底,晶体管PM1的源极和衬底接电源VDD;晶体管NM2、晶体管NM4、晶体管PM2、晶体管PM4、晶体管PM6构成控制通路;此条通路的具体连接关系为:晶体管NM2的源极和衬底接地,晶体管NM2的栅极接输入控制信号CTRL_IN,晶体管NM2的漏极接晶体管NM4的源极和衬底;晶体管NM4的源极和衬底接晶体管NM2的漏极,晶体管NM4的栅极接1.5V电源VDD15,晶体管NM4的漏极接晶体管PM6的栅极和漏极;晶体管PM6的栅极和漏极接晶体管NM4的漏极,晶体管PM6的源极和衬底接晶体管PM4的栅极和漏极;晶体管PM4的栅极和漏极接晶体管PM6的源极和衬底,晶体管PM4的源极和衬底接输出信号N1;晶体管PM2的漏极接输出信号N1,晶体管PM2的栅极接晶体管PM1的栅极和漏极,晶体管PM2的源极和衬底接电源VDD;控制信号CTRL_IN为0时,输出信号N1输出高电平,控制信号CTRL_IN为高电平时,输出信号N1输出一个2Vth电平。
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