[实用新型]一种反激变换器电路

说明书

本实用新型公开了一种反激变换器电路，涉及电路技术领域，包含220V交流市电输入端、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电容Cin、电容C1、电阻R1、二极管D1、MOS管Q1、变压器T、电阻R2、电容C2、二极管D2、二极管D22、电容Cout、电阻Ro、单片机和反馈补偿电路，对MOSFET和变压器副边的二极管实施有效的屏蔽或抑制瞬变电压电流的措施。

技术领域

本实用新型涉及采样开关电路技术领域，尤其涉及一种反激变换器电路。

背景技术

随着无线充电、电动汽车等新能源技术的快速发展，电源产品逐渐趋向高频化、小型化，随之产生的电磁干扰（EMI）问题正变得日益严重。辐射干扰是以电磁波的形式在自由空间中传播的电磁干扰能量，近年来愈发受到人们重视。辐射干扰问题是制约电源产品高频化小型化的因素之一。

依照 GB9254-2008等电磁兼容标准,开关电源产品的辐射干扰指30MHz频段的电磁干扰能量，通常在230MHz以内辐射较为严重。针对开关电源的辐射干扰，传统仿真预测方法普遍基于两个基本假设：（1）输入输出线缆是主要的辐射源；（2）共模电流是造成输入输出线缆辐射的主要原因。而实际上PCB迹线及元器件的立体结构均会形成等效天线结构，其辐射特性同样不可忽视。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对背景技术的不足提供一种反激变换器电路，其对MOSFET和变压器副边的二极管实施有效的屏蔽或抑制瞬变电压电流的措施。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：

一种反激变换器电路，其特征在于：包含220V交流市电输入端、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电容Cin、电容C1、电阻R1、二极管D1、MOS管Q1、变压器T、电阻R2、电容C2、二极管D2、二极管D22、电容Cout、电阻Ro、单片机和反馈补偿电路；

其中，220V交流市电输入端的一端分别连接二极管D3的正极和二极管D5的负极，220V

交流市电输入端的另一端分别连接二极管D4的正极和二极管D6的负极，二极管D5的正极和二极管D6的正极连接，二极管D3的负极分别连接二极管D4的负极、电容Cin的一端、电容C1的一端、电阻R1的一端、变压器T的接口1，电容Cin的另一端接地，电容C1的另一端分别连接电阻R1的另一端、二极管D1的负极，二极管D1的正极分别连接MOS管Q1的漏极和变压器T的接口2，MOS管Q1的源极接地，OS管Q1的栅极连接单片机，单片机与负反馈补偿电路连接，负反馈补偿电路还分别与二极管D2的一端、二极管D22的一端、电容C2的一端、电容Cout的一端、电阻Ro的一端连接，电阻Ro的另一端分别与电容Cout的另一端、变压器T的接口4连接，变压器T的接口3分别与电阻R2的一端、二极管D2的正极和二极管D22的正极连接，电阻R2的另一端连接电容C2的另一端。

作为本实用新型一种反激变换器电路的进一步优选方案，所述变压器T为高频变压器，其原边励磁电感为1.67mH，漏感为100μH。

作为本实用新型一种反激变换器电路的进一步优选方案，所述MOS管Q1的型号为IRFBE30。

作为本实用新型一种反激变换器电路的进一步优选方案，所述二极管D1的型号为F7A。

作为本实用新型一种反激变换器电路的进一步优选方案，所述二极管D2为副边二极管，其型号为SM560A。

作为本实用新型一种反激变换器电路的进一步优选方案，所述二极管D22为吸收回路的二极管，其型号为SM560A。

本实用新型采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：