[实用新型]射频功率放大器及射频前端模组

说明书

本实用新型公开了一种射频功率放大器及射频前端模组，该射频功率放大器包括偏置电路、第一功率放大电路、阻抗调整电路和自适应调整电路；阻抗调整电路的第一端与偏置电路的输出端相连，阻抗调整电路的第二端与第一功率放大电路的输入节点相连；自适应调整电路的第一端耦合至第一功率放大电路，自适应调整电路的第二端耦合至阻抗调整电路。本技术方案能够提高射频功率放大器在不同功率水平下的增益平坦度，并通过减小射频功率放大器处于处于低功率模式下的增益，从而达到减少射频功率放大器处于低功率模式下的能耗的目的。

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器及射频前端模组。

背景技术

在射频前端系统中，射频功率放大器起着至关重要的作用。随着移动通信设备的用户需求的不断提高，对射频功率放大器的效率、损耗等性能均提出了更高的要求。

目前，无论射频功率放大器工作在哪种工作模式，传统的偏置电路均提供相同大小的偏置电流至射频功率放大器的射频功率放大晶体管。例如，当射频功率放大器工作在低功率模式时，偏置电路仍会提供较大的偏置电流至射频功率放大器，从而导致射频功率放大器的整体损耗较大，并且影响射频功率放大器工作在不同工作模式时的增益。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种射频功率放大器及射频前端模组，以解决射频功率放大器在不同工作模式下的增益较低的问题。

一种射频功率放大器，包括偏置电路、第一功率放大电路、阻抗调整电路和自适应调整电路；

所述阻抗调整电路的第一端与所述偏置电路的输出端相连，所述阻抗调整电路的第二端与所述第一功率放大电路的输入节点相连；

所述自适应调整电路的第一端耦合至所述第一功率放大电路，所述自适应调整电路的第二端耦合至所述阻抗调整电路。

进一步地，所述阻抗调整电路包括第一晶体管和第一电阻，所述第一晶体管的第一端与所述第一电阻的第一端相连，所述第一晶体管的第二端与所述第一电阻的第二端相连；

所述自适应调整电路的第二端耦合至所述第一晶体管的第三端。

进一步地，所述第一功率放大电路包括第一放大晶体管，所述第一放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第一放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一放大晶体管的集电极耦合至第一供电电源端，所述第一放大晶体管的发射极接地；所述自适应调整电路的第一端耦合至所述第一放大晶体管的集电极。

进一步地，所述第一晶体管为HBT晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一晶体管的基极耦合至所述自适应调整电路的第二端，所述第一晶体管的集电极与第一电阻的第一端和所述偏置电路的输出端相连，所述第一晶体管的发射极与第一电阻的第二端和所述第一功率放大电路的输入节点相连。

进一步地，所述自适应调整电路包括分压电路；

所述分压电路的第一端与所述第一功率放大电路和所述阻抗调整电路相连，所述分压电路的第二端与接地端相连。

进一步地，所述分压电路包括分压电阻。

进一步地，所述自适应调整电路还包括电流镜电路；所述电流镜电路的输入端耦合至所述第一功率放大电路，所述电流镜电路的输出端与所述分压电路的第一端相连。

进一步地，所述射频功率放大器还包括第二功率放大电路，所述第二功率放大电路的输出节点与所述第一功率放大电路的输入节点相连。

一种射频前端模组，包括基板、分压单元、以及设置在所述基板上的第一芯片和设置在所述基板上的第二芯片；所述第一芯片包括偏置电路、第一功率放大电路和阻抗调整电路；所述第二芯片包括电流镜电路；

所述阻抗调整电路的第一端与所述偏置电路的输出端相连，所述阻抗调整电路的第二端与所述第一功率放大电路的输入节点相连；