[实用新型]显示面板、显示装置有效
申请号: | 202122607498.6 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN216488065U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 田学伟;石领;郭丹;卢辉;张振华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底基板和设于所述衬底基板一侧的多层金属层、多条扫描线、多条数据线和多个子像素:
所述衬底基板包括透光区、环绕在所述透光区外围的显示区以及位于所述透光区和所述显示区之间且环绕所述透光区的绕线区;
多个所述子像素位于所述显示区,所述子像素与所述扫描线和所述数据线连接,所述子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素;
所述数据线包括绕线数据线,所述绕线数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分区域位于所述绕线区,所述绕线数据线包括位于所述显示区的主体部和连接于所述主体部的连接部,所述连接部在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述绕线区且正投影位于所述绕线区的部分沿所述透光区的边缘走向弯曲;多条所述绕线数据线的所述连接部被分别设置在绝缘间隔的至少三层所述金属层中,且其中至少两层所述金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,连接于所述绿色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部同层设置,或连接于所述红色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部与连接于所述蓝色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部同层设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多层金属层包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;
所述绕线数据线的主体部与所述第三金属层同层设置;
连接于所述绿色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部与所述第一金属层和所述第二金属层同层设置;
连接于所述红色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部、连接于所述蓝色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部均与所述第三金属层同层设置。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多层金属层包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;
所述绕线数据线的主体部与所述第三金属层同层设置;
连接于所述绿色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部与所述第三金属层同层设置;
连接于所述红色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部与所述第一金属层同层设置,连接于所述蓝色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部与所述第二金属层同层设置;或
连接于所述红色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部与所述第二金属层同层设置,连接于所述蓝色子像素的多条所述绕线数据线的所述连接部与所述第一金属层同层设置。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述连接部包括连接段和绕线段,所述绕线段在所述衬底基板上的正投影位于所述绕线区且沿所述透光区的边缘走向弯曲,所述连接段连接所述主体部和所述绕线段;
与所述第一金属层和所述第二金属层同层设置的绕线段在衬底基板上的正投影不交叠。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,与所述第三金属层同层设置的绕线段在衬底基板上的正投影位于与所述第一金属层同层设置的绕线段或与所述第二金属层同层设置的绕线段在衬底基板上的正投影之内。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,与所述第一金属层和所述第二金属层同层设置的绕线段的线宽为2.5-3.5μm,与所述第一金属层同层设置的绕线段和相邻的与所述第二金属层同层设置的绕线段在所述衬底基板上的正投影之间的间距为0.5-1.5μm;
与所述第三金属层同层设置的绕线段的线宽为1.5-2.5μm,相邻两个与所述第三金属层同层设置的绕线段之间的间距为1.5-2.5μm。
7.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,当所述绕线数据线的所述主体部和所述连接部位于不同层时,所述主体部通过转接孔与所述连接部连接;
位于所述转接孔的从所述连接部至所述主体部方向上的一侧且距离所述转接孔最近的所述子像素与所述数据线通过过孔连接,不同所述绕线数据线对应的所述转接孔距离所述过孔的距离相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的