[实用新型]嵌入式电感结构

权利要求书

1.一种嵌入式电感结构，其特征在于，包括具有一定深度的沟渠的衬底，在所述沟渠底部上依次设有沿所述沟渠的深度方向多层间隔的线圈结构，所述线圈结构包括金属层以及所述金属层周围的第一介电层和粘附层，所述第一介电层和粘附层依次包裹在所述金属层的侧壁，所述线圈结构通过所述粘附层附着在所述沟渠的侧壁上，所述粘附层还包覆在所述金属层和所述第一介电层的底面，相邻间隔的两个所述线圈结构通过金属连接柱相连。

2.根据权利要求1所述的嵌入式电感结构，其特征在于，相邻间隔的两个所述线圈结构之间设有第二介电层或空气腔，所述第二介电层的厚度或所述空气腔的高度为1～10μm，所述第二介电层的材料为SiO₂、Si₃N₄或聚酰亚胺。

3.根据权利要求1所述的嵌入式电感结构，其特征在于，所述粘附层为Si或种子层，所述种子层的材料包括TiW/Au或Ti/Cu。

4.根据权利要求1所述的嵌入式电感结构，其特征在于，所述第一介电层的厚度为100nm～2000nm，所述第一介电层的材料包括SiO₂或Si₃N₄。

5.根据权利要求1所述的嵌入式电感结构，其特征在于，所述沟渠的深度为10μm～100μm，所述沟渠侧壁与所述沟渠底部之间的夹角为88°～92°。

6.根据权利要求1所述的嵌入式电感结构，其特征在于，所述金属层的厚度为1～5μm，所述金属层的材料包括Au、Cu、Pt、Ag、Ni、Co中的一种。

7.根据权利要求1所述的嵌入式电感结构，其特征在于，所述沟渠在所述衬底上的投影图案为具有开口的环形，所述金属层从环形的开口处延伸设置有与所述金属连接柱连接的引线。