[实用新型]一种钻头加工用化学气相沉淀装置有效
申请号: | 202122550104.8 | 申请日: | 2021-10-22 |
公开(公告)号: | CN216192698U | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 苗礼军;钟鸿彬;高旭 | 申请(专利权)人: | 华通电脑(惠州)有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/27 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 516139*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钻头 工用 化学 沉淀 装置 | ||
本实用新型公开了一种钻头加工用化学气相沉淀装置,包括气相沉淀机本体,气相沉淀机本体的顶端开设有凹槽,气相沉淀机本体的顶端活动连接有密封盖,密封盖的内壁设置有伺服电机,伺服电机的输出端设置有螺杆,螺杆的表面螺纹连接有活动杆,活动杆的底端固定连接有隔板,隔板的两侧均设置有风机,密封盖的一端固定连接有固定块,固定块的一侧活动连接有套筒,套筒的内壁螺纹连接有螺纹杆。本实用新型在普通硬质合金钻头的基础上,通过高温CVD化学气相沉积的方式将金刚石活化成气体,使之均匀气化并沉积在合金表面形成具有超高硬度和耐磨性的金刚石合金膜层,便于在S7135D板材上进行加工剪切,提高了钻头的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及成产加工技术领域,具体为一种钻头加工用化学气相沉淀装置。
背景技术
随5G技术发展,对PCB信号损耗降低,高频高速要求越来越高。S7135D材料即为一种高频高速高导热碳氢材料。为达性能要求,材料内添加了大量Al2O3等硬度很高填料,对PCB钻孔加工用钻头磨损严重,加工困难,有披锋严重及钻头寿命过低问题,同时现有的气相沉底装置在加热完成后,不方便进行快速散热,基本上都使将盖子打开,自然散热,这样的散热方式效率相对较低,而且现有的气相沉淀装置不方便对密封盖进行关闭密封,人员在使用时,增加不必要的麻烦。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种钻头加工用化学气相沉淀装置以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种钻头加工用化学气相沉淀装置,包括气相沉淀机本体,所述气相沉淀机本体的顶端开设有凹槽,所述气相沉淀机本体的顶端活动连接有密封盖,所述密封盖的内壁设置有伺服电机,所述伺服电机的输出端设置有螺杆,所述螺杆的表面螺纹连接有活动杆,所述活动杆的底端固定连接有隔板,所述隔板的两侧均设置有风机,所述密封盖的一端固定连接有固定块,所述固定块的一侧活动连接有套筒,所述套筒的内壁螺纹连接有螺纹杆,所述螺纹杆的一端固定连接有转板,所述气相沉淀机本体的一端固定连接有连接块,所述连接块与转板相适配。
优选的,所述气相沉淀机本体的一侧设置有连接管,所述气相沉淀机本体的另一侧设置有真空管。
优选的,所述气相沉淀机本体的底端四角均固定连接有垫板,所述垫板的底端设置有防滑纹。
优选的,所述密封盖的一端固定连接有连接板,所述连接板的数量为两个,两个所述连接板之间固定连接有把手。
优选的,所述密封盖的顶端开设有散热孔,所述散热孔的相撞为长方形。
优选的,所述伺服电机的两侧均固定连接有固定架,所述固定架远离伺服电机的一端与密封盖的内顶壁固定连接。
优选的,所述密封盖的内底壁和隔板的顶端均固定连接有保温板,所述保温板的材料为隔温材料。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过气相沉淀机本体的设置,在普通硬质合金钻头的基础上,通过高温CVD化学气相沉积的方式将金刚石活化成气体,使之均匀气化并沉积在合金表面形成具有超高硬度和耐磨性的金刚石合金膜层,便于在S7135D板材上进行加工剪切,提高了钻头的使用寿命。
2、本实用新型通过伺服电机、螺杆、活动杆、隔板和风机的设置,在加工完成后,伺服电机使螺杆转动,螺杆通过表面设置的螺纹使活动杆进行移动,并带动隔板向上移动,此时风机启动,一个风机向内吹风,另一个风机进行抽风,从而形成流动风,达到加速散热的效果。
3、本实用新型通过固定块、套筒、螺纹杆、转板和连接块的设置,在需要关闭密封盖进行加工时,先将密封盖与气相沉淀机本体闭合,然后移动螺纹杆至两个连接块之间,转动转板并带动螺纹杆进行转动,螺纹杆通过与套筒的螺纹连接关系进行移动,并使转板与连接块接触,从而达到使密封盖与气相沉淀机本体密封的效果,在人员使用时减少不必要的麻烦。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华通电脑(惠州)有限公司,未经华通电脑(惠州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122550104.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的